縱觀存儲技術(shù)的發(fā)展和演進(jìn)，從SLC到QLC，再到PLC，F(xiàn)loating Gate浮柵技術(shù)體現(xiàn)出很大的優(yōu)勢。
了解Floating Gate和Charge Trap技術(shù)區(qū)別的人也許知道，Charge Trap電荷捕獲技術(shù)層與層之間沒有很明確的分割點(diǎn)，電子拉進(jìn)去之后是靠自己的介質(zhì)把電子禁錮在一個相對獨(dú)立的空間里，但是浮柵技術(shù)的設(shè)計可以提供強(qiáng)大的電荷隔離和優(yōu)秀的電壓閾值分布技術(shù)，這也使其可以向更多的比特/單元拓展。
此外，由于PLC技術(shù)能夠在制造QLC NAND的設(shè)備上進(jìn)行生產(chǎn)，因此，Solidigm能夠?qū)⒓夹g(shù)路線快速演進(jìn)至PLC上，并加速SSD市場的發(fā)展—— 一是高密度數(shù)據(jù)中心存儲工作負(fù)載，二是溫存儲市場。
PLC帶來的不僅是存儲密度和存儲成本等方向的演進(jìn)，而且必將促動整個行業(yè)在存儲架構(gòu)、存儲方案層面的大范圍革新，大大加速軟件創(chuàng)新和優(yōu)化，為即將到來的下一波HDD替換大潮做充分的準(zhǔn)備。
特別是在功耗層面，無論是計算的每瓦IOPS，還是每瓦的兆字節(jié)，PLC SSD相比HDD也體現(xiàn)出很大的優(yōu)勢。比如針對功耗消耗高低、機(jī)柜的重量、機(jī)柜的密度提出較高要求的情況下，PLC SSD將會提供很大的助力。
