八波長分布式反饋激光器陣列是在英特爾的商用300 mm混合硅光子平臺設(shè)計和制造的，這一平臺被用于量產(chǎn)光收發(fā)器?；谂c制造300 mm硅晶圓相同的，嚴(yán)格制程控制下的光刻技術(shù)，此項創(chuàng)新實現(xiàn)了大型CMOS晶圓廠激光器制造能力的重大飛躍。

在這項研究中，英特爾使用了先進的光刻技術(shù)，以在III-V族晶圓鍵合制程前完成硅片中波導(dǎo)光柵的配置。與在三或四英寸III-V族晶圓廠制造的普通半導(dǎo)體激光器相比，這項技術(shù)提高了波長均勻性。此外，由于激光器的高密度集成，陣列在環(huán)境溫度改變時也能保持通道間距的穩(wěn)定。

未來，作為硅光子技術(shù)的先鋒，英特爾將繼續(xù)致力于研究各類解決方案，以滿足日益增長的對效率更高、功能更全面的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的需求。目前，英特爾正在開發(fā)的集成光電關(guān)鍵構(gòu)建模塊包括光的產(chǎn)生、放大、檢測、調(diào)制、CMOS接口電路和封裝集成。

此外，八波長集成激光器陣列制造技術(shù)的許多方面正被英特爾的硅光子產(chǎn)品部門（Silicon Photonics Products Division）用于打造未來的光互連芯粒。這一即將推出的產(chǎn)品將在包括CPU、GPU和內(nèi)存在內(nèi)的各種計算資源之間，實現(xiàn)低功耗、高性能、太比特每秒（multi-terabits per second）的互連。對實現(xiàn)光互連芯粒的大規(guī)模制造和部署而言，集成激光器陣列是縮小體積、降低成本的關(guān)鍵。

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