圖片來源：美光

美光的 232 層 3D NAND 閃存采用 3D TLC 架構(gòu)，原始容量為 1Tb（128GB）。該芯片基于美光的 CuA 架構(gòu)，并使用 NAND 字符串堆疊技術(shù)，在彼此的頂部建立兩個 3D NAND 陣列。

CuA 設(shè)計加上232層 NAND，將大大減少美光 1Tb 3D TLC NAND 閃存的芯片尺寸，這有望降低生產(chǎn)成本。

美光沒有宣布其新的232L 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面數(shù)量，但暗示與現(xiàn)有的3D NAND 設(shè)備相比，新的內(nèi)存將提供更高的性能，這對采用 PCIe 5.0 接口的下一代SSD特別有用。

談到固態(tài)硬盤，美光的技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer指出，該公司已經(jīng)與內(nèi)部和第三方NAND控制器（用于固態(tài)硬盤和其他基于 NAND 的存儲設(shè)備）的開發(fā)者密切合作，以實現(xiàn)對新型內(nèi)存的支持。

在其232層3D TLC NAND 的其他優(yōu)勢中，美光還提到與上一代節(jié)點相比功耗更低?？紤]到美光將在2022年年底開始生產(chǎn)232 層3D TLC NAND設(shè)備，預(yù)計采用新內(nèi)存的固態(tài)硬盤將在2023年左右到來。

崔歡歡