如圖所示，從標(biāo)準(zhǔn)封裝到EMIB（嵌入式多管芯互聯(lián)橋接）再到Foveros，凸點(diǎn)間距從100μm縮減到50-25μm。而無(wú)論是EMIB（嵌入式多管芯互聯(lián)橋接）還是Foveros，這都是英特爾在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的過(guò)往，對(duì)于未來(lái)，他們將怎么走下去？

Johanna Swan表示：“我們擁有的發(fā)展機(jī)會(huì)是在每毫米立方體上提供最多的區(qū)塊并獲得每毫米立方體最多的功能。但在這方面我們還沒(méi)有走到極限?！?/p>

基于這種理解，英特爾也將在未來(lái)致力于開發(fā)小于10微米凸點(diǎn)間距的封裝技術(shù)。

在英特爾看來(lái)，混合結(jié)合（Hybrid Bonding）是實(shí)現(xiàn)小于10微米凸點(diǎn)間距的關(guān)鍵技術(shù)之一。Hybrid Bonding也是去年英特爾在其架構(gòu)上首次提出的方案。在今年的 ECTC中，英特爾再次公布了關(guān)于Hybrid Bonding的一些細(xì)節(jié)。據(jù)英特爾介紹，采用Hybrid Bonding還可實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸。

據(jù)介紹，凸點(diǎn)間距為50微米的Foveros，在每平方毫米中包含大約 400 個(gè)凸點(diǎn)。但對(duì)實(shí)現(xiàn)小于10微米的凸點(diǎn)間距的Hybrid Bonding，則可在每平方毫米容納10,000 個(gè)凸點(diǎn)。Johanna Swan表示表示：“這樣，我們便可以在兩個(gè)芯片之間實(shí)現(xiàn)更多的互連，這也意味著采用這種方式可以提供更小、更簡(jiǎn)單的電路，因?yàn)樗鼈儗?shí)際上可以相互疊加。因此，也不必做扇入（fan-in）和扇出(fan-out)。有了這個(gè)更簡(jiǎn)單的電路，我們可以使用更低的電容。然后開始降低該通道的功率?！?/p>

與此同時(shí)，Johanna Swan也指出，由于Foveros和Hybrid Bonding在組裝工藝上存在著差異，因此，在使用Hybrid Bonding時(shí)，需要一種新的制造、清潔和測(cè)試方法。

采用Hybrid Bonding的初衷是為了將更多的IP或區(qū)塊（tile）集成在一起，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片到芯片的互連。而這就意味著，從焊接轉(zhuǎn)向Hybrid Bonding，即要保持制造流程以相同的速度進(jìn)行，還要將更多的IP或芯片放置在一起。

為解決這一挑戰(zhàn)，英特爾正在考慮的解決方案是進(jìn)行批量組裝，他們稱之為自組裝。據(jù)介紹，英特爾正在聯(lián)手CEA-LETI 在推進(jìn)混合結(jié)合（Hybrid Bonding）自組裝研究。

Johanna Swan表示，混合結(jié)合（Hybrid Bonding）的技術(shù)進(jìn)步同樣可用于CO-EMIB和ODI架構(gòu)，這些架構(gòu)則是英特爾先進(jìn)封裝在可擴(kuò)展性方面所推出的技術(shù)。

由此，我們可以看出，Hybrid Bonding不僅能夠在功率效率、互連密度的提升上提供幫助，還可以在可擴(kuò)展性方面提供支持。也因此，筆者認(rèn)為Hybrid Bonding將成為英特爾先進(jìn)封裝發(fā)展關(guān)鍵。

先進(jìn)封裝將走向何處？

市場(chǎng)是驅(qū)動(dòng)封裝技術(shù)升級(jí)的重要因素。

“提供獨(dú)特的解決方案，推動(dòng)了我們關(guān)注的技術(shù)?！盝ohanna Swan表示：“產(chǎn)品需求的不斷進(jìn)化，才是真正推動(dòng)封裝需要轉(zhuǎn)變的原因?！彼J(rèn)為，封裝技術(shù)進(jìn)步會(huì)隨著用戶的差異化需求而出現(xiàn)。

在Johanna Swan看來(lái)，定制化是實(shí)現(xiàn)下一階段異構(gòu)集成的真正原因。因此，市場(chǎng)將需要獲得更多不同的節(jié)點(diǎn)或 IP 組合，在不同的制程或節(jié)點(diǎn)上執(zhí)行此操作。通過(guò)這種混合搭配，可以為特定客戶進(jìn)行深度定制。

在此基礎(chǔ)之上，Johanna Swan認(rèn)為極致的異構(gòu)集成是封裝技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)。她表示：“封裝技術(shù)將繼續(xù)具有縮小尺寸的特征，正如我們?cè)诩軜?gòu)日展示的那樣，我們能夠?qū)⒃絹?lái)越小的 IP 和越來(lái)越小的區(qū)塊（tile）封裝在一起。”

寫在最后

制程&封裝是英特爾未來(lái)發(fā)展的六大技術(shù)支柱之一。作為這個(gè)支柱當(dāng)中重要的一部分，英特爾也對(duì)其封裝技術(shù)進(jìn)行了一系列的布局。這其中就包括在今年5月份，英特爾宣布，將投資35億美元，為其位于新墨西哥州的里奧蘭喬工廠配備先進(jìn)的封裝設(shè)備，包括Foveros技術(shù)，預(yù)計(jì)2021年底動(dòng)工。

除此之外，英特爾在還在諸多半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威會(huì)議上所發(fā)表的論文和演講當(dāng)中，也頻繁地講到了他們對(duì)于先進(jìn)封裝的最近研究以及進(jìn)展。

從這一系列動(dòng)作當(dāng)中，我們可以透過(guò)英特爾這一行業(yè)巨頭，看到封裝技術(shù)的價(jià)值正在發(fā)生變化。

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