3400定位在性能更高的PC工作站、游戲電腦和高端臺(tái)式機(jī)，容量規(guī)格有512GB、1TB和2TB可選，外形尺寸采用的都是22x80mm。

我們準(zhǔn)備了一個(gè)性能表，將2450、3400與之前的2300及其PCIe gen 3總線連接進(jìn)行比較。它顯示了PCIe 4總線帶來的速度提升，以及更新的NAND帶來的耐久性：

2450具有與2300相似的隨機(jī)讀寫IOPS表現(xiàn)，但在順序讀寫性能方面2450更好，讀帶寬增加了9%，寫帶寬增加了11%。耐久性方面兩者也相差不大，只有256GB版本的TBW從150TB增加到了180TB。

3400的IOPS提升則更為明，最大隨機(jī)讀IOPS從43萬飆升到了72萬，寫入IOPS從50萬飆升至70萬。順序帶寬也翻倍到了6.6GB/秒，寫入速率也幾乎翻倍至5GB/秒，而耐久性則與2300一樣。

2450和3400都支持TCG Opal 2.01和Pyrite 2.01安全標(biāo)準(zhǔn)以及AES-256位加密。這兩款產(chǎn)品對(duì)標(biāo)三星PM9A3和980 Pro，對(duì)標(biāo)鎧俠XG7，希捷的FireCuda 520，西部數(shù)據(jù)的Black SN850。

UFS 3.1車載存儲(chǔ)芯片

美光正在出樣128GB和256GB的車用UFS 3.1閃存解決方案，采用的是96層3D NAND，未來很有可能出現(xiàn)176層3D NAND的UFS 3.1閃存方案，

UFS 3.1的讀取性能是UFS 2.1的2倍，有助于實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)，并減少數(shù)據(jù)密集型車載娛樂系統(tǒng)和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的延遲。它還提供了50%的持續(xù)寫入性能，以滿足3級(jí)以上ADAS系統(tǒng)，黑匣子的傳感器和攝像頭對(duì)于存儲(chǔ)性能提出的挑戰(zhàn)。

更先進(jìn)工藝的DRAM內(nèi)存

美光近日還宣布本月開始出貨采用1αnm工藝節(jié)點(diǎn)的DRAM內(nèi)存芯片，主要面向客戶端和移動(dòng)端市場。眾所周知，從1x、1y、1z、1α一代比一代先進(jìn)，容量密度和性能更高，功耗越來越低。

美光表示，與此前的1z工藝節(jié)點(diǎn)相比，內(nèi)存密度提高了40%，功耗降低了20%。此外，美光在近日還宣布完成了1αnm工藝節(jié)點(diǎn)DRAM內(nèi)存在AMD第三代霄龍?zhí)幚砥骱推渌麛?shù)據(jù)中心平臺(tái)上的驗(yàn)證。

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