今年是Tick 模式的一年，按照慣例32納米技術(shù)將在2009年第4季度和2010年年初這段時(shí)間里開始量產(chǎn)。

英特爾32納米技術(shù)，半導(dǎo)體業(yè)界的新路標(biāo)

那么英特爾32納米技術(shù)和英特爾45納米技術(shù)相比又有什么巨大進(jìn)步呢？

先來看第一個(gè)問題，英特爾32納米技術(shù)和之前的45納米技術(shù)相比，有以下這些巨大的進(jìn)步：

1. 采用了第二代高-K金屬柵極晶體管技術(shù)：業(yè)界最短的柵極長(zhǎng)度

– 用于高K材料的等價(jià)氧化物(電介質(zhì))的厚度從45納米工藝時(shí)的1納米縮小至0.9納米，柵極長(zhǎng)度縮小到了30納米，所以單位面積可以集成更多晶體管。處理器的同比封裝尺寸將是45nm產(chǎn)品的70%。

– 采用了第4代應(yīng)變硅，電子在晶體管中的流通更順暢，阻力更小，耗電更低。

2. 業(yè)界最窄的柵極間距

– 晶體管的柵極間距只有112.5納米，為目前業(yè)界最緊湊的柵極間距。

– 雖然間距更窄了，但是漏電流卻得到了更有效的控制，和45納米技術(shù)相比，PMOS型晶體管的漏電量減少到原來的十分之一，NMOS型晶體管的漏電量降到原來的五分之一。無效功耗降到更低的水平。

3. 目前半導(dǎo)體晶體管技術(shù)中最為有效的晶體管驅(qū)動(dòng)電流，高能效。

上面三項(xiàng)技術(shù)都創(chuàng)造了半導(dǎo)體業(yè)界的最新紀(jì)錄。

4. 在臨界層上使用浸沒式光刻技術(shù)，蝕刻電路更加精細(xì)和精確。

5. 晶體管性能提升22%，令人側(cè)目。

6. 9個(gè)銅導(dǎo)線低-k互連層，更低電阻率。

7. 無鉛、無鹵素的封裝，綠色產(chǎn)品，更加環(huán)保。

英特爾32納米技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和成熟度，讓32納米處理器能以不低于45納米時(shí)代的速度高良率量產(chǎn)，甚至可以超過45納米的量產(chǎn)速度。英特爾公司將再次向人們?cè)忈?quot;摩爾定律"的神奇之處—-最新的32納米處理器更小，更快，更強(qiáng)，更高能效。

集成圖形芯片的32納米處理器 Clarkdale

依照慣例，英特爾會(huì)把最新最先進(jìn)的制造工藝運(yùn)用于處理器的生產(chǎn)和制造，32納米到之時(shí)也不例外。英特爾32納米技術(shù)將應(yīng)用于研發(fā)代號(hào)為Westmere的系列處理器產(chǎn)品，其中有一類研發(fā)代碼為Clarkdale的新處理器，不但包含CPU內(nèi)核，還把英特爾的圖形芯片集成在處理器的封裝中，采用的是雙芯片方案：

Clarkdale = 32納米的Nehalem + 45納米英特爾圖形芯片/內(nèi)存控制器

Clarkdale處理器增加了圖形芯片和內(nèi)存控制器，傳統(tǒng)雙芯片芯片組(北橋芯片+南橋芯片)的平臺(tái)也就不適用了，因此英特爾設(shè)計(jì)了平臺(tái)的單芯片方案—-英特爾 5x系列芯片組(目前的X58除外)，如Intel P55，沒有南北橋之分了。

投資70億美元，預(yù)計(jì)將有4座32納米工廠投產(chǎn)

每次制造工藝升級(jí)改造的投入都是巨大的，英特爾在未來一年半到兩年內(nèi)上馬四座晶圓芯片廠。位于美國(guó)俄勒岡州的D1D芯片廠 和D1C芯片廠，D1D目前已經(jīng)試產(chǎn)，D1C將于2009年第四季度投入使用。2010年，將再建兩座芯片廠—-亞利桑那州的Fab 32和位于新墨西哥州的Fab 11X。

由此可見，32納米時(shí)代將如期而至，雖然今天45納米還如日中天，但是它和它的前輩65納米一樣，最終只能讓位于后起之秀、更加先進(jìn)的32納米。

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