與660p相比，670p在性能，耐久性，容量和功耗方面都有提升，部分表現(xiàn)相比TLC差距縮小，少部分場景甚至比還要好，英特爾的一頓操作讓人不得不對QLC刮目相看。
英特爾于2016年開始研究第一代QLC NAND，當(dāng)時僅為32層，很快在2017年就推出了64層QLC。
2018年，英特爾發(fā)布第一款消費級QLC SSD 660p，它基于64層的QLC NAND ，主要是以大容量著稱。
2019年，英特爾又發(fā)布了采用96層QLC的665p，雖然性能和耐久性都有所提升，但英特爾沒有給665p太多的表現(xiàn)機會，據(jù)說現(xiàn)在已經(jīng)停產(chǎn)，一直以來，660p似乎更常見一些。
而在144層的QLC產(chǎn)品中，第一款是企業(yè)級的SSD，直到2021年三月，英特爾才推出了消費級144層 QLC SSD新品670p。
盡管還是QLC的介質(zhì)，但與此前的660p相比性能有很大提升，順序讀寫速度最高分別能達到3500MB/s和2700MB/s，性能表現(xiàn)在PCIe 3.0SSD中，屬于領(lǐng)先者，與隔壁三星的980EVO Pro相比順序（標(biāo)稱也是3500MB/s）讀寫性能一點不遜色。
670p的外形尺寸是最常見的2280規(guī)格，有512G，1TB和2TB三個版本，質(zhì)保五年，512GB版本的寫入耐久性相比660p提升了85%，能達到185TBW，1TB的翻番到370TBW，2TB就是740TBW，換算成DWPD的話是0.2，常見的TLC所能達到的DWPD也就0.3。
作為一款用于筆記本電腦和臺式機上的SSD，適用于內(nèi)容創(chuàng)作生產(chǎn)力和游戲場景，670p主要做了這幾方面的優(yōu)化：
1，真實場景中的低隊列深度性能優(yōu)化
英特爾面向?qū)嶋H應(yīng)用場景做的最大優(yōu)化是在QD1的性能表現(xiàn)，在QD為1的時候，4K隨機度寫分別能達到2萬和5.2萬IOPS。
英特爾統(tǒng)計了個人電腦用戶使用時的存儲狀態(tài)，發(fā)現(xiàn)90%到95%的處于低隊列深度1或2的狀態(tài)，也就是說，QD64這種數(shù)字的實際意義非常有限，低隊列深度下的性能表現(xiàn)更接近用戶最真實的體驗。
英特爾實測后的性能發(fā)現(xiàn)，670p在低隊列深度下的表現(xiàn)相對于660p有了巨大提升，在大部分場景中，都高于同類QLC SSD的表現(xiàn)，在一些測試場景中的表現(xiàn)，甚至比TLC NAND還要好。
2，真實場景中的混合負載上的性能優(yōu)化
在實際應(yīng)用中，混合負載更能反映用戶的真實體驗，很少有場景說是只寫不讀或者只讀不寫，英特爾給出了670p在不同讀寫比例下，同時在低隊列深度下的性能測試表現(xiàn)，670p的優(yōu)勢更明顯。
3，功耗的優(yōu)化
與660p相比，670p的閑時功耗降到了25毫瓦，而低功耗L1.2深度睡眠次狀態(tài)已降至3毫瓦，這有助于延長移動平臺的電池續(xù)航。
4，可用容量增多
為了避免緩存占用完之后的性能尷尬，會盡可能的用大一些的Cache，670p自帶了少量的DRAM做Cache，同時也用SLC緩存，包括動態(tài)和靜態(tài)兩部分SLC。
英特爾用動態(tài)SLC緩存技術(shù)在寫入數(shù)據(jù)量少的時候提供更多Cache來提升性能，在寫入數(shù)據(jù)多的時候還可以騰出來更多存儲容量，相對660p來說，670p的用戶實際可用容量也有了相應(yīng)提升。
