本次發(fā)布的三款全新NAND固態(tài)盤代表著TLC和QLC作為大容量固態(tài)盤的主流技術(shù)正式邁入全新時(shí)代。其中，英特爾?3D NAND 固態(tài)盤670p是用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層（QLC）3D NAND固態(tài)盤。英特爾固態(tài)盤D7-P5510是全球首個(gè)推向市場(chǎng)的144層TLC NAND固態(tài)盤，而英特爾固態(tài)盤D5-P5316則是業(yè)內(nèi)首個(gè)采用了144層QLC NAND的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤。過(guò)去十余年間，英特爾始終致力于推動(dòng)和發(fā)展領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)。

用于數(shù)據(jù)中心SSD的144L 3D NAND

本次大會(huì)上，英特爾還宣布推出三款采用144層存儲(chǔ)單元的全新NAND固態(tài)盤，包括適用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤——英特爾固態(tài)盤670p；全球首個(gè)推向市場(chǎng)的144層TLC NAND設(shè)計(jì)的英特爾固態(tài)盤D7-P5510；采用業(yè)內(nèi)首個(gè)144層QLC NAND并具備更高密度、更強(qiáng)持久性的英特爾固態(tài)盤D5-P5316。

新的D7-P5510使用144L 3D TLC NAND，為使用96層TLC的D7-P5500的后繼產(chǎn)品。由于P5500是僅限OEM的產(chǎn)品，因此P5510還將作為部分客戶群的P4510的后繼產(chǎn)品。英特爾尚未宣布D7-P5600的144L替代產(chǎn)品。

相比上一代產(chǎn)品，P5510在IOPS性能上有45%左右的提升，而在大帶寬吞吐量上，讀寫分別較上一代提升118%和35%。在讀寫混合場(chǎng)景下的IOPS提升了50%。另外在延遲，耐久度，TRIM時(shí)間等規(guī)格上均有不同程度的提升。

使用Intel 144L QLC NAND的新品D5-P5316 SSD具有15.36 TB和30.72 TB兩個(gè)容量規(guī)格，采用U.2或E1.L接口形態(tài)。E1.L版本使得Intel可以采用Ruler形態(tài)的SSD在1U服務(wù)器中達(dá)到1PB的存儲(chǔ)容量。由于P5316取代了較舊的P4326（64L QLC和PCIe3.0接口），它比基于TLC的P5510有了實(shí)質(zhì)性的升級(jí)。除了在QLC產(chǎn)品線中引入英特爾第三代企業(yè)級(jí)NVMe SSD控制器外，P5316帶來(lái)的最重要變化是閃存抽象層FTL的工作方式發(fā)生了重大變化。P5316通過(guò)更改SSD的FTL，以64kB（而不是4kB）的頁(yè)面粒度工作，從而使板載DRAM用量減少了16倍。較粗粒度FTL節(jié)省的DRAM有助于使大容量SSD更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠，但以嚴(yán)重?fù)p害性能和增加小塊隨機(jī)寫入的寫放大效應(yīng)為代價(jià)。業(yè)界的總體趨勢(shì)是對(duì)此類驅(qū)動(dòng)器采用NVMe分區(qū)命名空間，從而規(guī)避隨機(jī)寫入帶來(lái)的問題。

基于TLC的P5510和基于QLC的P5316均使用與今年早些時(shí)候宣布的英特爾其他P5000系列SSD相同的控制器平臺(tái)，這些驅(qū)動(dòng)器引入了英特爾的第三代企業(yè)級(jí)NVMe SSD控制器，它們都支持PCIe 4.0?；赥LC的P5510已經(jīng)在一些關(guān)鍵客戶里小規(guī)模部署，并將于今年年底上市銷售?；赒LC的P5316正處于送樣階段，并將于2021年上半年上市。

SSD 670p：面向消費(fèi)者的144L QLC

英特爾將在2021年第一季度推出670p QLC NVMe SSD，接口仍為PCIe 3.0。英特爾將重新引入上一代產(chǎn)品665p所空缺的512GB容量點(diǎn)。同時(shí)，Intel正在通過(guò)新的670p來(lái)調(diào)整動(dòng)態(tài)大小的SLC Cache功能。盡管最大和最小SLC緩存容量沒有什么變化，但I(xiàn)ntel做了一些優(yōu)化，增加了部分被寫滿的介質(zhì)可利用的SLC Cache容量，比如：被寫半滿的670p仍可以享受SLC Cache容量的最大值，一直到85%寫滿時(shí)，才會(huì)降低到最低SLC Cache容量。

全球運(yùn)行速度最快的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤英特爾?傲騰?固態(tài)盤P5800X

P5800X是Intel的第二代Optane企業(yè)級(jí)SSD，代號(hào)Alder Stream。其為第一款使用第二代3D XPoint內(nèi)存的產(chǎn)品，配備了支持PCIe 4.0接口的控制器。順序讀寫性能達(dá)到了7.2GB/s和6.2GB/s，寫入與讀取帶寬相差不大，而這是NAND介質(zhì)不可能做到的。另外，4K隨機(jī)混合讀寫IOPS達(dá)到了1.8M，比單獨(dú)讀或者寫的1.5M的值還要高。實(shí)際上，由于PCIe是全雙工的鏈路通道，所以同時(shí)處理讀寫是會(huì)有性能加成的。另外，對(duì)于一些特殊應(yīng)用，512Byte的I/O Size是有可能出現(xiàn)的，對(duì)于NAND來(lái)講，這個(gè)I/O Size其實(shí)是很難受的，會(huì)導(dǎo)致處理開銷增加，寫放大增加。然而3D XPoint介質(zhì)天然適配字節(jié)級(jí)尋址，所以在512Byte I/O Size下的性能可達(dá)4.6M。

另外，第一代Optane DC P4800X的寫入耐久度為30 DWPD，后來(lái)提高到60 DWPD。新的P5800X進(jìn)一步將耐久度提高到100 DWPD。容量范圍從400GB到3.2TB。

面向消費(fèi)級(jí)客戶端的英特爾?傲騰?H20混合式固態(tài)盤

Optane Memory H10的繼任者H20計(jì)劃于2021年第二季度發(fā)布，適配第11代Core U系列移動(dòng)處理器和500系列芯片組，以及Intel RST驅(qū)動(dòng)程序版本18.1或更高版本。H10推出時(shí)，英特爾還打算為在臺(tái)式機(jī)平臺(tái)上使用H10做了一些支持，但是后來(lái)H10逐漸演變成OEM專用產(chǎn)品。H20從一開始就是面向移動(dòng)設(shè)備的OEM專用部件。Optane內(nèi)存H20將配備512GB或1TB的QLC NAND閃存，同時(shí)配備32GB的3D XPoint內(nèi)存。

Optane持久存儲(chǔ)器300系列：Crow Pass

Intel的Optane持久內(nèi)存產(chǎn)品（DIMM接口的3D XPoint介質(zhì)）已經(jīng)發(fā)展了兩代，分別是Apache Pass和Barlow Pass，分別對(duì)應(yīng)了100和200系列。目前第二代200系列Barlow Pass可以支持Cooper Lake和即將推出的Ice Lake Xeon平臺(tái)。200系列Optane持久內(nèi)存模塊仍使用第一代3D XPoint內(nèi)存介質(zhì)。Intel目前最新披露，Optane持久DIMM內(nèi)存Roadmap上的下一代產(chǎn)品代號(hào)為“Crow Pass”，其很可能會(huì)被冠以300系列的商標(biāo)。Crow Pass將適配Intel的Sapphire Rapids Xeon處理器，所以有理由推測(cè)Crow Pass將會(huì)支持DDR5接口。

隨著今日傲騰技術(shù)的發(fā)布，英特爾繼續(xù)在數(shù)據(jù)中心內(nèi)存和存儲(chǔ)金字塔中構(gòu)建融合了DRAM和NAND特性的新的層級(jí)。其中，英特爾傲騰固態(tài)盤通過(guò)高速緩存和高速存儲(chǔ)的性能，突破數(shù)據(jù)供應(yīng)瓶頸并加速應(yīng)用，提高每臺(tái)服務(wù)器的性能可擴(kuò)展性，并降低時(shí)延敏感型工作負(fù)載的交易成本。

英特爾傲騰持久內(nèi)存是英特爾打造兼具持久性、大容量、經(jīng)濟(jì)性、低延遲和近內(nèi)存速度性能的內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案愿景的最好體現(xiàn)。通過(guò)傲騰持久內(nèi)存，英特爾重構(gòu)了內(nèi)存和存儲(chǔ)層級(jí)，建立了以其為基礎(chǔ)的容量和性能都有所不同的內(nèi)存和存儲(chǔ)層。這種方式同時(shí)使建立雙層內(nèi)存架構(gòu)成為可能，其中以DRAM作為性能層，持久內(nèi)存作為容量層。而從存儲(chǔ)角度來(lái)看，傲騰持久內(nèi)存可被用作基于NAND大容量存儲(chǔ)層之上的性能層。

同時(shí)，英特爾傲騰持久內(nèi)存通過(guò)雙倍數(shù)據(jù)速率總線連接CPU，能夠以DRAM的速度直接進(jìn)行加載和存儲(chǔ)訪問，同時(shí)它也兼具非易失性，融合了內(nèi)存和存儲(chǔ)的最佳特性。

崔歡歡

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