來(lái)源：SK海力士

SK海力士4D NAND結(jié)合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設(shè)計(jì)、PUC(Peri. Under Cell)技術(shù)，2019年送樣第一代96層4D NAND，同年次月又推出了第二代128層4D NAND，本次成功研發(fā)出的176層NAND是第三代4D NAND產(chǎn)品。

來(lái)源：SK海力士

2020年SK海力士主要是擴(kuò)大96層4D NAND在市場(chǎng)上的普及，同時(shí)不斷提高128層4D NAND生產(chǎn)比重，并推出基于128層4D NAND的Gold P31和Platinum P31系列消費(fèi)類SSD，以及企業(yè)級(jí)PE8111系列SSD，2021年將進(jìn)入176層4D NAND新階段。

176層NAND：SK海力士 VS 美光，將在2021年展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)

在SK海力士之前，美光也發(fā)布了176層3D NAND，這是繼128層之后NAND Flash新一代技術(shù)制高點(diǎn)。值得注意的是，在美光和SK海力士新技術(shù)進(jìn)展加速推動(dòng)下，2021年原廠將可能直接在176層NAND技術(shù)上展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

SK海力士表示，新一代176層4D NAND與上一代產(chǎn)品相比，Bit生產(chǎn)率提高了35%以上，從而實(shí)現(xiàn)了差異化的成本競(jìng)爭(zhēng)力，讀取速度比上一代加快了20%，同時(shí)數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了33%，達(dá)到1.6Gbps。此外，SK海力士還將基于176層推出1Tb容量的4D NAND，進(jìn)一步滿足市場(chǎng)對(duì)大容量的需求，以及提高在NAND Flash市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)能力。

在產(chǎn)品規(guī)劃上，SK海力士預(yù)計(jì)在2021年中首先基于176層4D NAND推出移動(dòng)解決方案產(chǎn)品，最大讀取速度將提高70%，最大寫入速度提高35%，再計(jì)劃推出消費(fèi)類和企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品，以拓展其產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)，提高競(jìng)爭(zhēng)力。

美光是在11月份宣布開(kāi)始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3D NAND Flash。與上一代128層3D NAND技術(shù)相比，將讀取延遲和寫入延遲改善了35%以上，基于ONFI接口協(xié)議規(guī)范，最大數(shù)據(jù)傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負(fù)載性能提高15%，緊湊設(shè)計(jì)使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產(chǎn)生更多的GB當(dāng)量的NAND Flash。

美光新的176層3D NAND已在新加坡工廠量產(chǎn)，并已通過(guò)其Crucial消費(fèi)類SSD產(chǎn)品線送樣給客戶，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)5G、AI、云和智能邊緣領(lǐng)域的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)，滿足移動(dòng)、汽車、客戶端和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的存儲(chǔ)需求。

美光、SK海力士率先突破，三星、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等新一代技術(shù)進(jìn)展如何？

據(jù)CFM（中國(guó)閃存市場(chǎng)）數(shù)據(jù)顯示，2020年第三季度NAND Flash營(yíng)收排名，三星市場(chǎng)份額33.3%，依然排名第一；鎧俠市場(chǎng)份額21.4%，排名第二，西部數(shù)據(jù)排第三；SK海力士排名第四；美光位列第五；英特爾排名第六位，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市占份額已經(jīng)超過(guò)1%排名第七。

在176層3D NAND上，美光、SK海力士公開(kāi)宣布率先取得突破進(jìn)展，讓NAND Flash市場(chǎng)排名前三的三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等感受到威脅的氣息。

日前，三星表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆?！奔夹g(shù)，具體堆疊層數(shù)并未透露，而三星在128層工藝節(jié)點(diǎn)，采用的是“單堆?！奔夹g(shù)生產(chǎn)3D NAND。三星也強(qiáng)調(diào)，采用“雙堆?！奔夹g(shù)，不僅更具技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，3D NAND也有望堆疊層數(shù)達(dá)到256層，但并不一定意味著三星第七代NAND將具有這種配置。

來(lái)源：三星

鎧俠和西部數(shù)據(jù)在2019年基于96層QLC單顆Die容量實(shí)現(xiàn)1.33Tb容量，2020年初推出的第五代3D NAND技術(shù)，采用的是112層堆疊BiCS5，初步量產(chǎn)的是512Gb TLC產(chǎn)品，已經(jīng)面向消費(fèi)類的產(chǎn)品發(fā)售，QLC 單顆Die容量將達(dá)1.33Tb。至于新一代BiCS6還未公開(kāi)透露消息。

至于英特爾，已經(jīng)成功研發(fā)出144層堆疊的QLC閃存，容量較96層QLC提升了約50%，計(jì)劃是在2020年底前投入生產(chǎn)，并會(huì)推出基于該新技術(shù)的消費(fèi)類和企業(yè)級(jí)SSD。雖然SK海力士收購(gòu)了英特爾NAND業(yè)務(wù)，包括中國(guó)大連3D NAND工廠，但是在2025年之前，英特爾將繼續(xù)運(yùn)營(yíng)大連工廠和制造設(shè)計(jì)技術(shù)，在目前的144層節(jié)點(diǎn)之后，有望再拓展兩到三代。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)是在2020上半年發(fā)布128層QLC 3D NAND（型號(hào):X2-6070），具有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb單顆Die容量，并在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也發(fā)布了128層512Gb TLC 3D NAND（型號(hào)：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

崔歡歡