Penryn內(nèi)核有新SSE4，目的是提高一些與數(shù)據(jù)處理、媒體處理等相關(guān)的特定功能的性能，每個(gè)雙核芯片還有最多達(dá)到６MB的內(nèi)嵌共享L3高速緩存。

      Harperstown與Wolfdale芯片還將有1.6 GHz的前端總線，比目前的1.3 GHz總線速度提高了不少。然而，質(zhì)疑的說(shuō)法是Stoakley平臺(tái)如何采用這種快速前端總線，這種總線是針對(duì)工作站和高性能計(jì)算機(jī)(HPC)的工作量而設(shè)計(jì)的，而不是針對(duì)普通用途的服務(wù)器。根據(jù)Lawless的說(shuō)法，服務(wù)器制造商繼續(xù)采用目前的“Bensley”服務(wù)器平臺(tái)生產(chǎn)雙路服務(wù)器，在Nehalems芯片出現(xiàn)之前，這種服務(wù)器使用雙核Woodcrest至強(qiáng)5100與四核“Clovertown”至強(qiáng)5300芯片。明年下半年，服務(wù)器制造商與Intel將共同設(shè)計(jì)Nehalem芯片，這種芯片有完全不同的架構(gòu)，因此將花費(fèi)大量時(shí)間用于驗(yàn)證?Stoakley服務(wù)器平臺(tái)的生命周期太短，不適合使用Nehalem芯片。據(jù)推測(cè)，Intel將使用較低總線速度的Harperstown與Wolfdale芯片生產(chǎn)Bensley服務(wù)器平臺(tái)。
  
      Intel沒(méi)有透露用于服務(wù)器的Penryn芯片的具體運(yùn)行速度，也未談及價(jià)格。這些信息將于11月12日予以公布。公司方面說(shuō)，Harperstown芯片的運(yùn)行速度將達(dá)到3 GHz以上，而且將有比Clovertown芯片更好的散熱能力。雙核Penryn至強(qiáng)芯片有熱設(shè)計(jì)功耗(TDPs)分別為40瓦、65瓦和80瓦的產(chǎn)品，而至強(qiáng)芯片的四核版本將有散熱量為50瓦、80瓦和120瓦的產(chǎn)品。Lawless說(shuō)，性能提高取決于工作負(fù)載，將會(huì)在7%到20%之間，而對(duì)于既定的時(shí)鐘頻率，45納米縮小版將急劇地降低散熱量，每瓦能耗的性能將大大提高。
  
      在IDF上，Gelsinger還展示了兩個(gè)四核、八線程N(yùn)ehalem處理器與未來(lái)的通用系統(tǒng)互連(QPI)，也就是原來(lái)的CSI，這是令人矚目的成就。Nehalem同時(shí)已經(jīng)多線程化（AMD還未做到這一點(diǎn)），并且還有內(nèi)嵌的主內(nèi)存控制器和內(nèi)嵌的互聯(lián)結(jié)構(gòu)，這方面AMD從一開(kāi)始就在Opterons與其超傳輸總線上進(jìn)行。對(duì)于Nehalem，Intel不僅是將其應(yīng)用到新內(nèi)核中，還被應(yīng)用到前端總線架構(gòu)中。（幾年前就應(yīng)該完成的事，但做起來(lái)相當(dāng)困難。）
  
      Gelsinger說(shuō)，Nehalem的未來(lái)替代產(chǎn)品–Westmere已經(jīng)在研發(fā)中，并且按照預(yù)定時(shí)間將在2009年發(fā)布，Westmere是在俄勒岡州設(shè)計(jì)，并采用了32納米處理技術(shù)。2010年，一種名為Gesher、融合多架構(gòu)技術(shù)的產(chǎn)品也將問(wèn)世，它也采用了32納米技術(shù)。

      “核心部件的研發(fā)不會(huì)停止，” Gelsinger在IDF的主題演講中表明?！八鼮樾袠I(yè)、為Intel也最終為我們的用戶(hù)帶來(lái)可預(yù)料的、功能強(qiáng)大的、高性能的產(chǎn)品?！?BR>  
      這些消息讓人懷疑，AMD如何能在服務(wù)器領(lǐng)域中取得立足點(diǎn)并開(kāi)始發(fā)展?？梢哉f(shuō)Intel在推出安騰產(chǎn)品后，步伐稍微放緩，但它現(xiàn)在確實(shí)已經(jīng)加快步伐。

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