查找原因
一、查看原理圖，此信號(hào)是由100MHz CLK發(fā)生器經(jīng)過Buffer輸出至各PCIe Slave設(shè)備，測(cè)試發(fā)現(xiàn)CLK3有周期性干擾。測(cè)試Buffer輸出其他信號(hào)，發(fā)現(xiàn)CLK1也有干擾，但是其他通道CLK信號(hào)此干擾很小，排除此Buffer芯片本身問題或芯片供電影響。
二、查看PCB對(duì)比CLK信號(hào)走線差異，CLK2走線布在BOT層，CLK3走線布在BOT和內(nèi)層。兩組信號(hào)在BOT層走線沒有太大差異，初步排除BOT層干擾。經(jīng)過仔細(xì)檢查，CLK3內(nèi)層走線的上下兩層是完整的GND參考層，走線間距滿足手冊(cè)要求，層內(nèi)其他信號(hào)干擾也可排除。單獨(dú)測(cè)試GND信號(hào)，發(fā)現(xiàn)有560kHz周期性干擾，初步定位干擾源。
三、這種低頻率噪聲首先懷疑來源是開關(guān)電源的PWM信號(hào)。
采用如下幾種替代實(shí)驗(yàn)，來驗(yàn)證源頭：
通過以上實(shí)驗(yàn)可初步判斷是合路緩起芯片工作中產(chǎn)生的干擾通過GND層耦合到了CLK信號(hào)。
原因分析
根據(jù)合路芯片規(guī)格書，查看其內(nèi)結(jié)構(gòu)框圖，發(fā)現(xiàn)其有兩路輸出，OUT1輸出鏈路沒有經(jīng)過PWM開關(guān)鏈路，中間只是經(jīng)過一些MOSFET，其功能主要是均流作用，不是原因所在。而OUT2部分沒有詳細(xì)框圖，從其Spec可以得到其開關(guān)頻率典型值有兩個(gè)：510kHz和480kHz。懷疑此部分電路為干擾源。
尋找解決方案
找到源頭了，接下來就要解決問題。將此問題定位為EMI問題，通常解決辦法有3種：
1.抑制干擾源；2.切斷耦合路徑；3.保護(hù)被干擾源；
實(shí)際分析、解決及驗(yàn)證過程：
為降低噪聲和干擾，增加濾波電容是一個(gè)可選的解決途徑，嘗試在輸入和輸出增加濾波電容實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：
恢復(fù)問題板卡初始狀態(tài)，將板卡安裝至機(jī)殼，并通過多根粗線將板卡GND信號(hào)連到地。測(cè)試干擾大幅度減少，且接地線越多，干擾幅值越小，CLK信號(hào)干擾減小到50mV左右，在Spec要求范圍內(nèi)，問題解決。
經(jīng)驗(yàn)及反思
1.在使用隔離電源的板卡中需要格外關(guān)注EMI問題。
2.EMI問題解決手段有些是矛盾的，需要靈活合理利用。比如切斷耦合路徑需要去掉隔離電源兩端的EMI電容，而抑制干擾源需要將EMI電容加上。
3.因?yàn)闇y(cè)試環(huán)境與實(shí)際運(yùn)行環(huán)境有些差距，導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不一定是實(shí)際運(yùn)行結(jié)果，所以對(duì)部分測(cè)試結(jié)果要持懷疑態(tài)度。
4. EMI干擾是共模干擾，單純電容濾波難以解決。
綜上所述：在面對(duì)板卡調(diào)試的各種疑難雜癥時(shí)，要學(xué)會(huì)多加思考和各種嘗試，窮盡所有手段，在看似各種相互矛盾的解決辦法中尋找合適的方案。
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