希捷、日立、西部數(shù)據(jù)都證實了:通過使用垂直記錄技術可以實現(xiàn)1Tb/sq。在這之前,希捷也曾單方面的暗示過這是切實可行的。


      目前硬盤的實密度是每平方英寸250Gb ,此密度水平推進了2.5英寸硬盤的流行。2.5英寸硬盤比主流的3.5英寸硬盤更省電,并且能夠為磁盤陣列提供更高的I/O水平。例如,東芝有一款硬盤密度為254.8Gb/ sq的筆記本產品,一個雙碟片裝2.5寸硬盤容量可達320GB,SATA接口。


      西部數(shù)據(jù)CTO Hossein Moghadam說:“現(xiàn)在,每平方英寸存儲1Tb是可行的”。


      希捷CTO Martk Re,看起來更看好這項技術,他說“我們已經有了很可靠的想法通過利用垂直記錄技術實現(xiàn)至少1兆兆位每英寸的密度”。


      這三強表示2015年之前,1Tb/sq硬盤將會面世,熱輔助磁記錄(HAMR=Heat Assisted Magnetic Recording)或稱激光磁記錄也將會有助于提高硬盤密度。


      當垂直記錄技術退出歷史舞臺時,存儲行業(yè)的廠商將會投入高額資本來研發(fā)新的技術。目前,被看好的是HAMR即熱輔助磁記錄技術。如果能夠推遲這個技術轉變的話,制造商們就可以相應延緩在新技術開發(fā)方面的支出。


      下面是一個建議時間表:

          2007年:254Gb/sq面世,一個雙碟片裝2.5寸硬盤容量可達320G
          2011年:500Gb/sq面世,一個2.5英寸硬盤可達640GB
          2015年:1Tb/sq-inch面世,結合HAMR技術,一個2.5英寸硬盤容量可高達1.28TB 。


      事實上,每四年我們就可以看到硬盤容量翻一番。一機架2.5英寸硬盤,比如40個,到2011年它們的總容量將是25TB,到2015年將會是50TB。


      同時,我們也不能忘記3.5英寸硬盤。到2015年,一個低端陣列的單機容量將會達到24TB。以DELL目前的PowerVault MD3000產品線來說,陣列支持3.5英寸SAS硬盤。目前,內置15塊3.5英寸硬盤,容量可達6TB。硬盤密度提高以后,到2011年單機容量為12TB;2015年,則可以升至24TB。



 

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