IBM z15、z14核心規(guī)格對比

緩存分為四個(gè)級別，其中一二級集成于核心內(nèi)部，三四級位于核心外，容量則都大大提升：每個(gè)核心一級指令緩存128KB、一級數(shù)據(jù)緩存128KB，總?cè)萘?MB；每個(gè)核心二級指令緩存4MB、二級數(shù)據(jù)緩存4MB，總?cè)萘?6MB，比上代翻番。

三級緩存從128MB翻番至256MB，四級緩存則從672MB來到了960MB，幾乎增加了一半。

這樣算下來，每一顆處理器的四個(gè)級別緩存總?cè)萘烤瓦_(dá)到了驚人的1315MB。

頻率方面，一二級緩存與CPU核心一樣都運(yùn)行在5.2GHz，三四級緩存則是半速2.6GHz。

IBM z15四個(gè)級別的緩存

更驚人的是，IBM z15的制造工藝依然是IBM、GlobalFoundries聯(lián)合研發(fā)的14nm FinFET SOI。緩存增加如此之多，總面積卻保持不變，當(dāng)真是寶刀不老。

另外，z15的二三四級緩存都是高密度的eDRAM存儲單元，每單元面積為0.0174平方微米，甚至比臺積電5nm工藝下的SRAM密度還要高，后者每單元面積為0.021平方微米。

當(dāng)然這樣比較并不完全精確，因?yàn)镾RAM每單元一般是六個(gè)晶體管，eDRAM則是一個(gè)，但也足以看出14nm工藝的爐火純青。

WikiChip分析師David Schor也表示，IBM/GF 14nm被證明是極為出色的。

領(lǐng)先工藝的SRAM集成密度對比

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