來源：中國閃存市場ChinaFlashMarket不完全統(tǒng)計
相較于UFS3.0，UFS3.1的理論速度依然為23.2Gbps，但引入三個新特性，包括寫入增強器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能調(diào)整通知(Performance Throttling Notification)，以及支持UFS主機性能增強器(HPB，Host Performance Booster)擴展。Write Booster帶來最大程度的順序?qū)懭胨俣忍嵘?，HPB能夠進一步提升長時間使用后的隨機讀取性能。
分析顯示，小米10 Pro的閃存配置為UFS3.0+Turbo Write ，Realme X50 Pro 的閃存配置為UFS3.0+Turbo Write+ HPB，均較標準版UFS3.0有所升級，與UFS3.1標準基本一致。三星量產(chǎn)業(yè)界首款16GB LPDDR5，三大廠商競爭愈演愈烈
從2012年的LPDDR3、2014年的LPDDR4到2016年的LPDDR4x，DRAM技術(shù)在不斷發(fā)展和更迭，為滿足5G智能手機對高容量和高性能的要求，LPDDR5也在今年順利實現(xiàn)商用，成為5G旗艦手機的標配。
目前在高度壟斷的DRAM市場上，全球僅有三星、SK海力士、美光進入LPDDR5領(lǐng)域競爭角逐：
三星在2月25日宣布專為下一代旗艦智能手機的16GB LPDDR5已經(jīng)開始量產(chǎn)，而這也是目前首款16GB大容量手機內(nèi)存，進一步拓寬手機內(nèi)存容量配置上限。
據(jù)三星介紹，16GB LPDDR5速率可達5500Mb/s，接近于上一代LPDDR4X（4266 Mb/s）的1.3倍。而相較于單封裝8GB LDDR4X，16GB LPDDR5在容量增加一倍的同時功耗可減少20%。三星16GB LPDDR5是基于第二代10nm級工藝（1Ynm）打造，由8顆12Gb芯片和4顆8Gb芯片封裝而成，以滿足下一代旗艦智能手機對容量和性能的要求，更好應(yīng)對未來5G和AI的發(fā)展。
據(jù)悉，三星將在其平澤工廠持續(xù)擴大LPDDR5的生產(chǎn)，預(yù)計今年下半年將大規(guī)模量產(chǎn)基于第三代10nm級工藝（1Znm）的LPDDR5產(chǎn)品，并提供6400Mb/s的速率，達到LPDDR5的設(shè)計極限速率。
來源：三星
高通的驍龍865處理器目前已經(jīng)可以支持UFS 3.1和LPDDR5，而隨著VIVO推出搭載驍龍865+UFS 3.1 +LPDDR5的旗艦機 iQOO3，帶來讀取、寫入以及續(xù)航等方面的大幅提升，預(yù)計LPDDR5+UFS3.1將定義2020年旗艦手機頂級配置，更多手機品牌廠商有望跟進推出搭載LPDDR5+UFS3.1的手機。
