這個問題引發(fā)了Reddit網(wǎng)友的熱烈討論，各位網(wǎng)友引經(jīng)據(jù)典展開了自己的分析、討論，不過并沒有誰拿出了一個讓所有人信服的解釋。

本質(zhì)上來說，晶體管密度跟單核性能是沒有必然聯(lián)系的，摩爾定律多年來指導(dǎo)的主要還是晶體管密度、核心面積這些，但是從16/14nm節(jié)點開始，不僅摩爾定律放緩甚至說失效，廠商對新工藝的命名也更多地是出于商業(yè)營銷了，這點上三星臺積電都承認(rèn)過。

ARM CTO前幾年就做過表態(tài)了，半導(dǎo)體工藝從16nm之后基本上就沒什么性能提升了。

至于大家看到的廠商宣傳新工藝提升了XX性能，那是對比的同功耗狀態(tài)下的，有嚴(yán)格的限定情況。

別的不說，ARM、臺積電等公司2013年就宣傳20nm工藝可以制造出3GHz的高性能處理器，實際上到現(xiàn)在的7nm工藝為止，高通、華為、蘋果、三星尚無一家能夠做到3GHz ARM處理器的，最高頻率都停留在2.8GHz上下幾年了，更別說穩(wěn)定頻率了。

低功耗的ARM提升單核性能都是如此艱難，更別說高性能的X86處理器了。

zhupb