MRAM是一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器，關(guān)掉電源后，仍可以保持記憶完整，功能與閃存雷同，而寫入速度比閃存快。目前市場上的MRAM芯片容量僅有幾兆字節(jié)，只能滿足嵌入式控制系統(tǒng)的要求，對于個人電腦大容量的需求還遠遠無法達到。

    IBM和TDK此次將攜手研究如何應用自旋動量轉(zhuǎn)移來生產(chǎn)體積更小的數(shù)據(jù)存儲單元，希望以此技術(shù)來擴大MRAM芯片的容量，使其可以廣泛地應用于手持設備中。

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