富士通電腦產(chǎn)品美國分公司的科學(xué)家們聲稱他們已經(jīng)在利用垂直磁記錄的數(shù)據(jù)存儲技術(shù)研究上取得了突破性進(jìn)展。目前大部分服務(wù)器和存儲設(shè)備廠商都在產(chǎn)品中采用了垂直磁記錄技術(shù)。
富士通公司與山縣富士通、富士通實驗室和神奈川科技學(xué)院合作開發(fā)出了一種利用蜂窩結(jié)構(gòu)硬盤中的薄膜層來存儲數(shù)據(jù)的新方法。相反，現(xiàn)在的基于垂直磁記錄的驅(qū)動器中的薄膜都是無序晶狀結(jié)構(gòu)排列的。這就意味著鋁基片表層的氧化鋁層的可存儲容量是現(xiàn)在的最大、最快的磁盤驅(qū)動器的8倍。
如今，希捷和日立公司剛剛推出的3.5英寸、1TB的驅(qū)動器可能會由2.5英寸、1.2TB的驅(qū)動器取代?，F(xiàn)在的驅(qū)動器傳輸速度200Gbit/秒平方英寸，未來的驅(qū)動器速度將達(dá)到1Tbit/秒平方英寸，而大小將只有現(xiàn)在驅(qū)動器的一半左右，功率保持不變。
據(jù)富士通產(chǎn)品美國分公司高級產(chǎn)品工程副總裁David James說，未來的驅(qū)動器轉(zhuǎn)速將達(dá)到10000RPM或者15000RPM，存取數(shù)據(jù)的速度將達(dá)到每秒幾百兆字節(jié)，而如今最快的驅(qū)動器的數(shù)據(jù)存取速度在每秒100兆字節(jié)到150兆字節(jié)之間。
James說：“沒有必要提高磁盤的轉(zhuǎn)速，因為人們希望將磁盤的功率保持在一個較低的水平上?！?
富士通公司擁有一些與上述技術(shù)相關(guān)的專利應(yīng)用方案，但是目前還不打算投產(chǎn)。James說，公司打算對技術(shù)進(jìn)行完善之后再考慮量產(chǎn)。生產(chǎn)新磁盤所需的設(shè)備也將進(jìn)行重大調(diào)整和修改。
與此同時，同樣采用PMR技術(shù)的其他廠商們也正致力于類似研究。希捷計劃在2010年開發(fā)出3TB的企業(yè)硬盤驅(qū)動器。它認(rèn)為未來硬盤驅(qū)動器的密度將以每年40％的速度遞增。
值得注意的是，當(dāng)希捷公司推出1TB/s的驅(qū)動器時，它打算通過增加“熱輔助磁記錄”和“晶格媒介記錄”等技術(shù)來提高磁盤容量。
2010年離我們似乎還比較遙遠(yuǎn)，但是富士通公司的David James預(yù)計屆時除磁盤驅(qū)動器之外的其他技術(shù)將會更加普及。他指出：“在三到五年里，估計在一定市場以及其他有利潤空間的市場上將有20％或者更多的磁盤采用固態(tài)磁盤技術(shù)?！?
那么結(jié)論是什么呢？ 用戶們將看到磁盤尺寸變得更小，但是可選的替代產(chǎn)品將很多。預(yù)計到2012年時就可以把SAN放到公文包中，但是在那之前還需要進(jìn)行大量的研發(fā)工作。
