當(dāng)前，硬盤的最高存儲密度為每平方英寸178.8Gb。而利用新技術(shù)，每平方英寸可以存儲1Tb(1TB=1000GB)以上的數(shù)據(jù)。
據(jù)悉，該項(xiàng)研究使用的是納米接觸磁性電阻(NMR)技術(shù)，以此提升硬盤磁頭的磁致電阻。東芝表示，這種新型硬盤要在五年后才能上市。
