大咖齊聚：
紫光集團董事長趙偉國
藍思科技集團董事長周群飛
順豐控股集團董事長王衛(wèi)
萬科集團總裁祝九勝
平安集團總經理任匯川
大族激光董事長高云峰
歐菲科技集團董事長蔡榮軍
華潤置地控股有限公司董事局副主席唐勇
全國臺企聯(lián)會長、
東莞臺升家具有限公司董事長郭山輝
東莞莞商聯(lián)合會會長、
東莞市嶺南生態(tài)文旅股份有限公司董事長尹洪衛(wèi)
大族激光科技產業(yè)集團董事長高云峰
正中投資集團總裁鄧學勤
碧桂園集團副總裁林昭憲
會議期間，組織了29個重特招商項目在現(xiàn)場集中簽約，涉及協(xié)議投資金額超過4000億元。其中，重大產業(yè)項目19個、科技創(chuàng)新平臺項目5個、城市更新項目5個。還有30個城市更新項目進行現(xiàn)場推介。本次簽約項目涉及高端智能制造產業(yè)、戰(zhàn)略性新興產業(yè)以及科技創(chuàng)新合作、城市更新合作等領域，不乏行業(yè)龍頭企業(yè)，項目科技含量高、經濟效益好。 廣大投資企業(yè)落戶東莞，將極大地推動東莞產業(yè)轉型升級、促進東莞經濟又快又好發(fā)展。
1nm晶體管誕生
援引VoidSee消息，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。
多年以來，技術的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。眼下，我們使用的主流芯片制程為14nm，而明年，整個業(yè)界就將開始向10nm制程發(fā)展。
不過放眼未來，摩爾定律開始有些失靈了，因為從芯片的制造來看，7nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數(shù)字，它們在物理形態(tài)上就會非常集中，以至于產生量子隧穿效應，為芯片制造帶來巨大挑戰(zhàn)。因此，業(yè)界普遍認為，想解決這一問題就必須突破現(xiàn)有的邏輯門電路設計，讓電子能持續(xù)在各個邏輯門之間穿梭。
此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。
據白宮官網報道，美國東部時間22日，2015年美國最高科技獎獲獎名單公布，包括9名國家科學獎獲得者（National Medal of Science）和8名國家技術和創(chuàng)新獎（National Medal of Technology and Innovation）獲得者。其中美籍華人科學家胡正明榮獲年度國家技術和創(chuàng)新獎。
胡正明教授是鰭式場效晶體管（FinFET）的發(fā)明者，如今三星、臺積電能做到14nm/16nm都依賴這項技術。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后來考入加州大學伯克利分校。
在華為海思麒麟950的發(fā)布會上，胡正明教授曾現(xiàn)身VCR，據他介紹，F(xiàn)inFET的兩個突破，一是把晶體做薄后解決了漏電問題，二是向上發(fā)展，晶片內構從水平變成垂直。
胡認為，F(xiàn)inFET的真正影響是打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制，這項技術現(xiàn)在仍看不到極限。
2010年后，Bulk CMOS工藝技術在20nm走到盡頭，胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發(fā)明得以使摩爾定律在今天延續(xù)傳奇。
