英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營(yíng)與銷(xiāo)售集團(tuán)總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，它擁有世界上最密集的晶體管和最小的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度，領(lǐng)先其他“10納米”整整一代。

10納米中國(guó)首發(fā)，技術(shù)領(lǐng)先

英特爾10納米工藝采用第三代 FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，其使用的超微縮技術(shù)(hyper scaling)，充分運(yùn)用了多圖案成形設(shè)計(jì)(multi-patterning schemes)，助力英特爾延續(xù)摩爾定律的經(jīng)濟(jì)效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產(chǎn)品，以滿足客戶端、服務(wù)器以及其它各類(lèi)市場(chǎng)的需求。

單個(gè)晶體管成本

英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達(dá)到每平方毫米1.008億個(gè)晶體管，是之前英特爾14納米制程的2.7倍。

相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達(dá)25%的性能和降低45%的功耗。增強(qiáng)版的10納米制程可將性能再提升15%或?qū)⒐脑俳档?0%。

工藝提升

英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)通過(guò)兩個(gè)設(shè)計(jì)平臺(tái)——10GP（通用平臺(tái)）和10HPM（高性能移動(dòng)平臺(tái)），向客戶提供英特爾10納米制程。這兩個(gè)平臺(tái)包括已驗(yàn)證的廣泛硅IP組合、ARM庫(kù)和POP套件，以及全面整合的一站式晶圓代工服務(wù)和支持。

英特爾創(chuàng)新技術(shù)研發(fā)前瞻

納米線晶體管被認(rèn)為是未來(lái)技術(shù)的一種選擇，因?yàn)榧{米線的結(jié)構(gòu)可提供改進(jìn)通道靜電，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)晶體管柵極長(zhǎng)度的微縮。

硅是MOSFET通道中經(jīng)常使用的材料，但是III-V材料（如砷化鎵和磷化銦）改進(jìn)了載流子遷移率，從而提供更高的性能或者能夠在更低的電壓和更低的有功功耗下運(yùn)行晶體管。

硅晶片的3D堆疊有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成，以便把不同的技術(shù)混裝到一個(gè)很小的地方。

多種不同的高密度內(nèi)存選擇，其中包括易失性和非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，正在探索和開(kāi)發(fā)中。

對(duì)于精尖制程技術(shù)來(lái)說(shuō)，微縮互聯(lián)和微縮晶體管一樣重要。新的材料和圖案成形技術(shù)正在探索中，以支持高密度互聯(lián)。

極紫外（EUV）光刻技術(shù)：采用13.5納米波長(zhǎng)。由于當(dāng)今的193納米波長(zhǎng)工具已達(dá)到其微縮極限，該技術(shù)正在研發(fā)中以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的微縮。

自旋電子是一種超越CMOS的技術(shù)，當(dāng)CMOS無(wú)法再進(jìn)行微縮的時(shí)候，這是一種選擇，可提供非常密集和低功耗的電路。

神經(jīng)元計(jì)算是一種不同的處理器設(shè)計(jì)和架構(gòu)，能夠以比當(dāng)前計(jì)算機(jī)高得多的能效執(zhí)行某些計(jì)算功能。

大舉進(jìn)軍代工市場(chǎng)

自2008年推出單個(gè)22納米技術(shù)平臺(tái)產(chǎn)品以來(lái)，英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)不斷發(fā)展，為客戶提供高級(jí)技術(shù)與IP，以支持最為嚴(yán)苛的世界一流設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)。

英特爾晶圓代工業(yè)務(wù)基于其先進(jìn)的22納米、14納米和10納米技術(shù)，提供了完整的一系列平臺(tái)。這些平臺(tái)構(gòu)建于英特爾全球領(lǐng)先的制程技術(shù)之上，在過(guò)去15年來(lái)引領(lǐng)了行業(yè)創(chuàng)新。此外，代工業(yè)務(wù)生態(tài)系統(tǒng)為這些平臺(tái)提供全面的支持，包括完整的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)IP組合以及經(jīng)過(guò)認(rèn)證的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具流。

目前，英特爾提供多種最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)平臺(tái)，包括旨在向所有市場(chǎng)普及FinFET技術(shù)的全新22FFL平臺(tái)，以及能夠?yàn)樾袠I(yè)帶來(lái)最佳功耗、性能和面積(PPA)的最先進(jìn)、最高性能的10納米技術(shù)等。此外還提供領(lǐng)先的差異化IP，如56Gbps PAM4 SerDes和創(chuàng)新的EMIB等。EMIB提供了卓越的2.5D封裝能力。

所有這些技術(shù)均通過(guò)一個(gè)垂直集成的“一站式商店”交付，不僅能夠確保為客戶帶來(lái)協(xié)同優(yōu)化程度最高的平臺(tái)技術(shù)和IP，以及卓越的質(zhì)量和可靠的制造服務(wù)，同時(shí)還讓客戶可以使用到全面集成的封裝、裝配與測(cè)試服務(wù)。

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