據(jù)Klein介紹，目前世界上運(yùn)行著的服務(wù)器大部分都損失了三分之一的能源，這一些能源都轉(zhuǎn)化成了熱能。電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計(jì)劃則要求對(duì)于主流的服務(wù)器，第一年的出示要求交流電源在滿負(fù)荷下至少達(dá)到85%的效率，并且功率因數(shù)大于0.9。

 估算計(jì)算機(jī)節(jié)省的費(fèi)用

為了實(shí)現(xiàn)更好的"效能"，英特爾不斷進(jìn)行微體系架構(gòu)、芯片和平臺(tái)技術(shù)的創(chuàng)新：

1） 微體系架構(gòu)創(chuàng)新

英特爾的酷睿微體系架構(gòu)融入了多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，如Intelligent Power Capability，Advanced Smart Cache 和 Smart Memory Access，使得英特爾制造出封裝體積和供電需求更小但計(jì)算性能更高的處理器。在2007年，英特爾通過(guò)將晶體管從65納米移至45納米并且使用新型材料，進(jìn)一步提升了酷睿微體系處理器的效能。比如：

與上一代英特爾服務(wù)器處理器產(chǎn)品相比，英特爾45納米四核核 Xeon 5400系列處理器在提供1.35倍的CPU計(jì)算性能同時(shí)，能耗降低了40%。

此外，今年推出的基于45納米技術(shù)的下一代微體系架構(gòu)(Nehalem)，將使計(jì)算終端的每瓦特性能將得到空前的提升。

2）芯片創(chuàng)新

在芯片的設(shè)計(jì)和制造上，英特爾實(shí)現(xiàn)了45米的飛躍，從而使芯片上晶體管密度為其上一代產(chǎn)品的2倍，此外，晶體管的柵極長(zhǎng)度縮短至35納米，與1.2納米的柵氧層相結(jié)合減小了柵電容，最終降低了整個(gè)芯片的工作耗電。

英特爾又于2007年研發(fā)了45納米high-k金屬柵極工藝。與65納米技術(shù)相比，芯片上晶體管密度又提升了一倍，晶體管切換電流減小了30%，晶體管切換速度提高了20%，柵氧層漏電降至原先的10%。這使得處理器在運(yùn)算速度提高的同時(shí)，芯片尺寸和工作耗電均得以下降。

3）系統(tǒng)平臺(tái)創(chuàng)新

英特爾借助其先進(jìn)的平臺(tái)擴(kuò)展能力，創(chuàng)造了全新的使用模式（Usage Model）。利用基于英特爾處理器的多核平臺(tái)和英特爾的多線程技術(shù)來(lái)構(gòu)建、調(diào)整或改進(jìn)企業(yè)的線程型應(yīng)用，可以在提高應(yīng)用性能的情況下降低能耗。同樣的計(jì)算工作在多線程平臺(tái)上的性能明顯高于單線程平臺(tái)（ST-single threading, MT-multiple threading）。因?yàn)橛?jì)算時(shí)間的減少，功耗也相應(yīng)降低。以此累積，將帶來(lái)可觀的能源成本節(jié)省。

目前已有 150 多家公司和數(shù)千人參與了此項(xiàng)計(jì)劃。該項(xiàng)目唯一的目標(biāo)是引導(dǎo)客戶承諾購(gòu)買和使用那些符合特定能效規(guī)范的高效率電腦和服務(wù)器，并由此產(chǎn)生巨大的市場(chǎng)推動(dòng)力以達(dá)到在2010年節(jié)省將計(jì)算機(jī)的能耗降低50％的環(huán)保目標(biāo)。

多易