研究人員已經(jīng)能夠?qū)⒘谆煟↖ndium Phosphide)的發(fā)光屬性和硅的光路由能力整合到單一混合芯片中。當(dāng)給磷化銦施加電壓的時候,光進(jìn)入硅片的波導(dǎo)(waveguide),產(chǎn)生持續(xù)的激光束,這種激光束可驅(qū)動其他的硅光子器件。這種基于硅片的激光技術(shù)可使光子學(xué)更廣泛地應(yīng)用于計算機(jī)中,因?yàn)椴捎么笠?guī)模硅基制造技術(shù)能夠大幅度降低成本。
“這一技術(shù)使未來的計算機(jī)內(nèi)部可采用低成本、萬億比特(TB)量級的光學(xué)‘?dāng)?shù)據(jù)通路’(data pipes),并使高性能計算應(yīng)用迎來新時代,”英特爾公司光子學(xué)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)馬里奧•潘尼西亞(Mario Paniccia)指出?!氨M管離商品化仍有很長距離,但我們相信數(shù)十個、甚至數(shù)百個混合硅激光器會和其它硅光子學(xué)部件一起,被集成到單一硅基芯片上去?!?/P>
“我們和英特爾公司的研究項(xiàng)目,充分體現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)和學(xué)術(shù)界可以通過合作來推動科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,”美國加州大學(xué)圣芭芭拉分校電氣和計算機(jī)工程學(xué)教授約翰•鮑爾斯(John Bowers)指出,“通過結(jié)合美國加州大學(xué)圣芭芭拉分校在磷化銦方面的專業(yè)能力和英特爾公司在硅光子方面的專業(yè)能力,我們已研發(fā)出基于鍵合方法的一種新結(jié)構(gòu)激光器,它能夠用于晶圓級、半晶圓級和芯片級的應(yīng)用,同時這也是將大規(guī)模的光學(xué)器件集成到一個硅平臺上的一種可能的解決方案。這是開始低成本大批量生產(chǎn)高集成度硅光子芯片的標(biāo)志?!?/P>
技術(shù)細(xì)節(jié)
硅被廣泛用于數(shù)碼電子產(chǎn)品的大批量生產(chǎn),也用于光的路由、探測、調(diào)制和放大,但它并不能有效發(fā)光。另一方面,基于磷化銦的激光器被普遍用于電信設(shè)備,但需要逐一進(jìn)行組合和校準(zhǔn)。這相對于計算機(jī)產(chǎn)業(yè)大批量、低成本的制造需求,仍顯得過于昂貴和費(fèi)時。
混合硅激光含有獨(dú)特設(shè)計,當(dāng)硅波導(dǎo)容納和控制激光時,其采用的磷化銦材料可以產(chǎn)生光并把它擴(kuò)大。制造這種設(shè)備的關(guān)鍵是用低溫的氧等離子體(帶電荷的氧氣)在這兩種材料表面都形成一層薄氧化膜(大約25個原子的厚度)。
當(dāng)加熱的同時在材料兩側(cè)加壓,兩種材料上的氧化膜就像玻璃粘合劑一樣熔合,從而將兩種材料熔合到一個單一芯片中。給磷化銦施加電壓,它產(chǎn)生的光會通過這層像玻璃粘合劑一樣的氧化膜進(jìn)入硅片中的波導(dǎo)。波導(dǎo)容納并控制光,形成混合硅激光。波導(dǎo)的設(shè)計對混合硅激光器的性能和激光的波長至關(guān)重要。
今天的發(fā)布,建立在英特爾公司另一個長期研究項(xiàng)目的成就之上,即采用標(biāo)準(zhǔn)硅制造工藝來“硅化(siliconize)”光子學(xué)器件。2004年,英特爾研究人員首次展示了帶寬超過1GHz的硅激光調(diào)制器,比此前硅基調(diào)制記錄快了近50倍。2005年,英特爾公司研究人員首次演示了硅可用來放大外部光源、利用拉曼效應(yīng)(Raman effect)產(chǎn)生連續(xù)的片上激光(laser-on-a-chip)光波。
鮑爾斯教授研究硅光子學(xué)材料和激光已超過25年。目前他專注于研發(fā)數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)160Gb/秒的新式光電子設(shè)備,以及鍵合不同材料來創(chuàng)造更高性能的新設(shè)備的技術(shù)。
美國加州大學(xué)圣芭芭拉分校工程學(xué)院
美國加州大學(xué)圣芭芭拉分校工程學(xué)院在生物工程學(xué)、化學(xué)工程、計算工程學(xué)、材料科學(xué)、納米技術(shù)、光學(xué)和物理學(xué)方面領(lǐng)先。美國加州大學(xué)圣芭芭拉分校有五名諾貝爾獎獲得者。工程學(xué)院獨(dú)特而成功地運(yùn)用了跨學(xué)科方法,并與業(yè)界結(jié)合進(jìn)行研究和學(xué)習(xí),從而取得了卓越的成就。請瀏覽www.engineering.ucsb.edu。