DOIT邀請您參加2016年第三屆中國閃存峰會:
當下,沒有什么能比討論閃存更能讓存儲業(yè)界興奮的事情了。
經(jīng)過閃存和應(yīng)用近一年多若即若離式的磨合,如今閃存已經(jīng)走了到“關(guān)鍵之年”。在它的催化下,軟件定義的加速正在超出人們的預(yù)期,超融合的百業(yè)待興也在重塑新的數(shù)據(jù)中心時代,更有NVMe\PCIe等周邊打造的更為完善的生態(tài)……
更重要的是,借助于3D NAND,中國存儲產(chǎn)業(yè)有了可以彎道超車的時代機會。
面對著閃存不斷深化影響的存儲產(chǎn)業(yè)甚至更大范圍的商業(yè)活動,我們能否承擔(dān)得起這種趨勢下不斷增長的熱情,甚至能否為這個“關(guān)鍵之年”找到一個合適的方向?
為此,6月30日在北京召開的2016年第三屆中國閃存峰會上勢必要給出一個答案。
與以往不同的是,今年峰會給出的答案將會更為豐富,也會更權(quán)威。有來自于不同服務(wù)供應(yīng)商的,從顆粒到應(yīng)用交付都有機會為自己代言;有來自閃存深度應(yīng)用用戶的,從超大規(guī)模互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)到傳統(tǒng)企業(yè);還有來自國家政府相關(guān)產(chǎn)業(yè)的,武漢新芯的神秘嘉賓將會帶來中國存儲產(chǎn)業(yè)彎道超車的最新動態(tài)。
更有現(xiàn)場您的參與給出的答案……
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