美光即將推出一個8GB閃存DIMM，與閃迪及其ULLtraDIMM成為競爭對手。

閃存DIMM在DIMM插槽上安裝了一個閃存芯片卡，將NAND放在內(nèi)存總線上，這樣速度要比在PCIe總線上快很多。該理念是為了提供一個中間存儲或主存儲與PCIe閃存或磁盤存儲器支持的連接SAS閃存之間的緩存。

DDR4 NVDIMM產(chǎn)品將一個NVDIMM控制器，NAND，DRAM和一個電源連接形成一個具有類DRAM性能的持久性內(nèi)存子系統(tǒng)。

美光的產(chǎn)品采用的DDR4 DIMM，類似Diablo的Memory1產(chǎn)品。有一種更簡單的Diablo技術(shù)由閃迪進行認證，形成它的ULLtraDIMM產(chǎn)品，而且即便它沒有在市場上造成任何顯著影響，也已經(jīng)被代工到華為，聯(lián)想和超微適用于服務(wù)器使用。那么，DDR3閃存DIMM很可能會被速度更快基于DDR4的產(chǎn)品所取代。

閃存DIMM有效地擴展了存儲/內(nèi)存空間，接近一個服務(wù)器CPU，并且能夠在內(nèi)存中運行更大的數(shù)據(jù)集從而使采用它們的應(yīng)用程序避免了通過PCIe總線進行更加緩慢地數(shù)據(jù)訪問，并使SAS/SATA接口傳輸?shù)絊SD和磁盤。

在數(shù)據(jù)訪問速度方面，美光已經(jīng)提供了一個對照視圖，如果一個DRAM訪問需要一秒，那么PCIe訪問則需要花費22分鐘，一張1K SAS硬盤則需要7.6天。

美光的閃存DIMM建議使用案例為大數(shù)據(jù)分析，存儲應(yīng)用程序，RAID緩存，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫和在線交易處理。

美光會有3款DDR4 NVDIMM產(chǎn)品：

1. 8GB DDR4 NVDIMM w/傳統(tǒng)固件;

RDIMM架構(gòu);

DDR4-2133;

單個rank x4配置;

目前在生產(chǎn)中;

備用電源：PowerGEM或持久12V路由到DRAM插槽。

2. 8GB DDR4 NVDIMM w/JEDEC固件：

RDIMM架構(gòu);

DDR4-2133;

單個rank x4配置;

目前工程樣品可用;2016年早期投入生產(chǎn);

備用電源：PowerGEM或持久12V路由到DRAM插槽。

3. PowerGEM(超級電容)8GB NVDIMM

備份時間：約40秒(電源切斷時，NVDIMM控制器拷貝DRAM內(nèi)容到NAND所需時間);

備用電源：超級電容(tethered);

2.5英寸驅(qū)動器機架外形。

美光表示其閃存DIMM將提供一個橋梁，預(yù)計在2016年更快到達的還是3D XPoint DIMM，它正作為存儲級內(nèi)存進行定位。

在這兩種情況下，主要客戶都將會是服務(wù)器OEM，我們預(yù)計其主要目標(biāo)為，思科，戴爾，富士通，惠普，日立，華為，聯(lián)想和超微，接著是一些白盒服務(wù)器制造商如Quanta。

崔歡歡

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