Pure Storage在發(fā)布會上還表示它們已經(jīng)設(shè)計了自身的NV-RAM盒適用于FlashArray//m，這相比FA-400系列內(nèi)部使用的SLC SSD向前邁進了一大步，

該存儲系統(tǒng)在跨//m陣列所有SSD平均分配數(shù)據(jù)之前將寫入數(shù)據(jù)放入NV-RAM。利用NV-RAM在Pure稱為FlashCare的作用下，促進基礎(chǔ)SSD獲得更長壽命。NV-RAM在存儲陣列景觀里并不常見，其他一些先前用到它的包括許多Nexenta部署。而歷史遺留問題是極少有NV-RAM解決方案存在。STEC曾構(gòu)建了一個稱為ZeusRAM的固態(tài)盤，HGST繼續(xù)沿用但數(shù)量極為有限，其他廠商發(fā)布這樣的解決方案，也是限量并且價格相當貴。這就是Pure進行自我創(chuàng)新，擁有一個完全適用于//m陣列的客戶解決方案的原因

此外，新的NV-RAM模塊結(jié)合DDR3 DRAM和NAND閃存，兩者由超級電容器支持。因此，位于超級電容器內(nèi)部的儲存能量可用于支持NV-RAM模塊在突然斷電情況下的供電耗損。Pure Storage的新閃存陣列配置了高達4個這樣的熱插撥模塊，雙歸到兩個控制器并且通過NVMe功能PCIe進行連接。

同時發(fā)布的還有FlashArray//m對非透明橋(NTB)的使用，一個點對點PCIe總線連接兩個系統(tǒng)來提供兩個子系統(tǒng)的電隔離。這也使得為確保高可用性所需的必要組件數(shù)量有所降低。Pure Storage聲稱這將意味著布線復(fù)雜性變小控制器之間本地性能的一個改進。

Pure Storage使用的閃存模塊化設(shè)計還考慮到了一個新的中介層(interposer)——從SATA 轉(zhuǎn)換到SAS并在每一個模塊中為兩個SSD提供接口。這不僅提高了容量，更實現(xiàn)了兩倍數(shù)量的SSD控制器使得性能有了顯著提高。SATA SSD的使用也幫助控制了//m成本。

崔歡歡