三星電子存儲芯片事業(yè)部全永鉉總裁指出：“我們面向全球市場推出第三代三維V-NAND閃存， 以更好性能、更節(jié)能和更高生產(chǎn)效率的最先進存儲器解決方案，來加速SSD市場向高性能、高密度化方向發(fā)展。”“通過充分利用三星電子在V-NAND閃存方面的獨特優(yōu)勢，我們將在企業(yè)、數(shù)據(jù)中心市場及消費市場擴展高端業(yè)務，持續(xù)加強大眾對我們SSD產(chǎn)品線的關注。”

與容量為128Gb的傳統(tǒng)NAND相比，三星電子此次量產(chǎn)的新一代256Gb 3D V-NAND閃存芯片密度實現(xiàn)翻倍增長。除了在單芯片上支持存儲容量高達32Gigabytes(256Gb)之外，新的芯片還能輕松地翻倍提升三星電子現(xiàn)有SSD的存儲容量，為TB級SSD提供理想的解決方案。

在2014年8月推出第二代32層3bit MLC V-NAND閃存之后，三星電子在本月隨即發(fā)布第三代 48層3bit MLC V-NAND閃充閃存芯片 ,并將持續(xù)引領3D存儲時代。

在新一代V-NAND閃存中，每個單元都采用相同的3D Charge Trap Flash(簡稱CTF)結構設計，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術，通過18億個通道孔在陣列上實現(xiàn)電子互連。每個芯片共包含853億個單元。單個存儲單元容量為3bit，一共能存儲2,560億位的數(shù)據(jù)，換句話說，就是一個不超過手指尖大小的芯片能存儲256Gb數(shù)據(jù)。

與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當存儲相同容量的數(shù)據(jù)時，一個48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30%。在量產(chǎn)階段，相對于之前推出的32層3D V-NAND閃存而言，新型芯片可將生產(chǎn)效率提升約40%， 在繼續(xù)使用現(xiàn)有設備的同時，大大提升了SSD市場的成本競爭力。

在2015年接下來的時間內，三星電子計劃繼續(xù)生產(chǎn)第三代 V-NAND閃存，以加速推廣TB級SSD的市場普及率。目前三星電子正在計劃面向消費者推出2TB級甚至更高容量、更高密度的SSD，還將計劃采用業(yè)界領先的 PCIe(NVMe)接口和SAS接口的產(chǎn)品來提升面向企業(yè)級用戶和數(shù)據(jù)中心存儲市場的高密度SSD的市場銷量。

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