磁盤已死。而實際上，并沒有那么快。但閃存陣列鞭撻者Violin則堅信磁盤將死于數(shù)據(jù)中心，由一系列NAND軍團——2D MLC, 3D TLC，以及3D QLC最后的一擊致死。

該觀點現(xiàn)實嗎，還是偏離現(xiàn)實?

這個觀點源于Violin欽點全球銷售高級副總裁Said Ouissal的兩個言論：

1、3D TLC將擁有2D MLC的耐用性;

2、3D QLC將擁有2D TLC的耐用性。

然后再加上普遍接受的觀點即——重復刪除的2D MLC閃存正在PK掉15,000 rpm的磁盤驅(qū)動器。一個后果是磁盤供應(yīng)商相對于企業(yè)級性能磁盤將更專注于企業(yè)級容量磁盤也就是3.5英寸 7,200rpm驅(qū)動器。

那么交待一些縮寫之后開始闡述論點。

許多現(xiàn)有閃存是由一個平面或二維的制程再加上芯片上的一個閃存單元層組成。

而閃存存在耐用性問題，因為它塊里的單元會隨著重復寫入產(chǎn)生損耗。同時也因為尺寸縮小和每個單元字節(jié)而愈加明顯。因此任何尺寸MLC的閃存都比SLC閃存耐用性差。而TLC和QLC相比而言更差。

不同制程的相關(guān)閃存耐用性(P/E周期)和不同的bit/cell值，由AnandTech提供

上圖表中5x nm SLC的柱條是縮短了的以便其他柱條更加清晰可見。你不需要看它的絕對值，這只是相對的價值關(guān)系，而對于以上所有閃存類型，控制器寫入下降和閃存過度配置也都扎扎實實影響了絕對程序/擦除周期數(shù)。

隨著標準晶圓能提供更多的單元，當然也為了彌補耐用性缺陷，就有了添加字節(jié)到閃存單元降低每GB的成本.收縮制程來降低每GB成本。

現(xiàn)在，2D或平面MLC有了2x (29-20nm) 和1x (19-16nm)制程。由于電子漏和鄰近單元影響，預計15nm以下的NAND走向不大靠譜，現(xiàn)估計3D或多層NAND是通往增加閃存芯片容量的路。

最初的3D芯片已經(jīng)采用4x(49-40nm)制程達到了32層，這就意味著任何特定單元字節(jié)等級，它的耐用性都比2x nm的2D NAND更高。

是什么現(xiàn)象引發(fā)了Ouissal以上的兩個言論呢?

他還稱Violin的閃存模塊現(xiàn)在有1.1TB的容量，未來會達到2.2TB, 4.4TB,甚至8.8TB都未可知，因為每一代閃存都會給下一代閃存讓路。他認為在3D NAND開始使用之前會再多一代2D MLC。

好了這是我們開始的觀點陳述和縮略詞定義，下面開扒。

磁盤驅(qū)動器死亡階段

首先，我們可以看到3D TLC NAND的成本和耐用性現(xiàn)在能PK掉10,000 rpm, 2.5英寸磁盤。這樣的NAND將可能比15K磁盤的每原始TB成本更低，比10K驅(qū)動器的每去重TB成本更低。

而剩下的7,200rpm 3.5英寸磁盤驅(qū)動器段會被3D QLC吃掉。這個極端觀點聲稱去重3D QLC閃存將會PK掉7.2K磁盤驅(qū)動器。

我們可以看到這樣一個磁盤驅(qū)動器死亡階段圖表：

閃存取代磁盤市場可能發(fā)生的情況

不要看曲線的精確形狀，我們正在用一個不精確的時間線和大致曲線來展示一個籠統(tǒng)的概念。

所以這個情況就是Violin如何得出磁盤已死的觀點，在企業(yè)級數(shù)據(jù)中心可能會發(fā)生。

影響磁盤驅(qū)動器供應(yīng)商

如果你同意這個整體思路有點意思，那么我們可以再看看，如果沒有，那么務(wù)必要讀下去與此觀點對掐到底……

Violin的戰(zhàn)略閃存提供商是東芝。因此由這一事實推斷東芝在影響Violin的觀點如3D TLC 和3D QLC閃存性能和效果。

此外，從閃迪合作伙伴東芝在閃存制造廠活動中，和Violin一樣都意識到了3D TLC和3D QLC的閃存特性。

還有一個問題——這又如何影響兩個磁盤驅(qū)動器供應(yīng)商的——希捷/三星和西部數(shù)據(jù)/ HGST?

大家會注意到這兩對公司都在一個掛機狀態(tài)，因為他們無法合并成單一的希捷和西部數(shù)據(jù)。

如果東芝/ Violin磁盤已死觀點是對的，那么東芝相比希捷/三星或是西部數(shù)據(jù)/ HGST皆處于更好的位置上，因為它既有閃存代工廠操作也有一個磁盤驅(qū)動器操作。然而，為了生存和最大化他們的發(fā)展?jié)摿Γ＝?三星和西部數(shù)據(jù)/ HGST將不得不通過與閃存代工廠運營商的戰(zhàn)略合作或直接收購來加強他們的慢動作式發(fā)展閃存組件的業(yè)務(wù)操作(PCIe閃存卡，SSD和控制器)。

觀點是這樣的——他們需要一個親密合作來發(fā)展組件產(chǎn)品，采用新的閃存技術(shù)趕上東芝/Violin和閃迪，否則會被拋在后面。

那么他們會和誰聯(lián)盟，或者收購誰?

和閃存制造廠的約會——約誰?

顯然不是東芝或閃迪，因為東芝擁有大約Violin的10%，與閃迪是合作伙伴，行不通。大型閃存制造廠廠商是英特爾和美光(有他們的IMTF)，以及三星。Hynix是較小的廠商，我們粗略估計一下Hynix可以被收購，但主要廠商還是美光和三星。而希捷已經(jīng)靠攏三星。

而由于一些桎梏，西部數(shù)據(jù)和HGST的無法聯(lián)合那么防止了一個新的閃存巨頭形成。同上，在一定程度上，抑制了希捷合并他所收購的三星磁盤驅(qū)動器操作，并因此保持希捷和三星的距離越來越遠。

這個有趣的連鎖效應(yīng)取決于閃存是否會消滅數(shù)據(jù)中心磁盤。

總之，Violin它已經(jīng)從0層移動到1層閃存陣列產(chǎn)品戰(zhàn)略作為思路的一部分。那么元芳又會怎么看呢?

崔歡歡