人們正在逐漸適應閃存并將其用于客戶移動設備到企業(yè)部署的大多數(shù)領域。而目前業(yè)內(nèi)面臨的最大難題就是平面NAND達到了它的實用極限。美光和英特爾旨在用他們的垂直堆疊3D NAND改變現(xiàn)狀。

英特爾和美光選用了一個業(yè)內(nèi)使用過一段時間的浮柵單元用于他們的3D NAND，這也是浮柵單元第一次用于3D NAND。浮柵單元的性能跟蹤記錄使得英特爾和美光篤定這項技術會實現(xiàn)更高品質，更高性能和可靠性。新型3D NAND技術允許閃存單元垂直堆疊32層。單個MLC容量達到256Gb，單個TLC達到384Gb并且仍能安裝在一個標準程序包里。由于容量增大，M.2 SSDs總存儲容量達到3.5TB甚至更大。標準2.5寸的SSDs總容量達到10TB以上，同時也會令閃存吸引更多在特定密度下安裝存儲的數(shù)據(jù)中心。另外，該產(chǎn)品有望于2015年下半年投入生產(chǎn)。

主要特點：

· 大容量——是現(xiàn)有3D技術容量的三倍，相當于48GB NAND每晶，能把一個terabyte的四分之三安裝在單個指尖大小的程序包里。

· 降低每GB成本——研發(fā)第一代3D NAND也是為了比平面NAND達到更好的成本效率。

· 速度快——高讀寫帶寬，I/O速度和隨機讀取性能。

· 節(jié)能——新的休眠模式通過切斷不活躍NAND晶粒的電源(甚至是在同一個數(shù)據(jù)包里其他晶粒都活躍的時候)，大大降低了待機狀態(tài)下的耗電量。

· 智能——相對于上一代產(chǎn)品，創(chuàng)新性功能改進了延遲讀取并且提高了耐用性，同時簡化了系統(tǒng)集成。

崔歡歡