3D V-NAND技術(shù)的應(yīng)用是三星850PRO系列產(chǎn)品十年質(zhì)保的根源所在。此前閃存芯片所采用的2D平面型NAND技術(shù)是眾多SSD廠商所采用的，該技術(shù)最大的瓶頸就在于，臨近存儲(chǔ)單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲(chǔ)單元成為了SSD升級(jí)面臨的最大問(wèn)題。不過(guò)由三星自主開(kāi)發(fā)的3D V-NAND技術(shù)的出現(xiàn)，完美的解決了這個(gè)問(wèn)題；該技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過(guò)改進(jìn)型的Charge Trap Flash 技術(shù)，在一個(gè)3D的空間內(nèi)垂直互連各個(gè)層面的存儲(chǔ)單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲(chǔ)空間。這樣的設(shè)計(jì)，我們可以通俗的理解成，在單位空間內(nèi)，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，就好比在一塊土地上蓋房子，如果是采用平房結(jié)構(gòu)，那么就會(huì)降低土地的利用率，要是采用樓房的形式，就會(huì)大大提升單位面積的利用率。

而且，三星全新的3D V-NAND技術(shù)，可以垂直堆疊更多個(gè)存儲(chǔ)單元，從而提高密度，降低碳足跡，別且還能可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫(xiě)入速度。使得32層3D V-NAND閃存的使用壽命較之SLC閃存延長(zhǎng)至兩倍以上，全新的三星3D V-NAND技術(shù)使得全新的SSD產(chǎn)品的工作負(fù)荷大大提升，每天可應(yīng)對(duì)40GB以上的超大容量，這樣的工作負(fù)荷等同于寫(xiě)入150TB（TBW），確保了SSD具有更長(zhǎng)的使用壽命；這也是三星全新SSD產(chǎn)品能夠在業(yè)內(nèi)率先提供10年質(zhì)保的最大技術(shù)保障。
 
除了在閃存方面的技術(shù)提升，三星850 PRO固態(tài)硬盤，在主控方面采用了三星全新研發(fā)生產(chǎn)的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，它屬于ARM架構(gòu)的三核處理器，具備更強(qiáng)悍的多任務(wù)、多路數(shù)據(jù)讀寫(xiě)傳輸能力。主要提高在算法設(shè)計(jì)和CPU的頻率。與之前的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的頻率提高到400MHz。

三星全新SSD產(chǎn)品850PRO系列，之所以擁有超長(zhǎng)的10年質(zhì)保承諾，與其擁有強(qiáng)大的研發(fā)與生產(chǎn)能力密切相關(guān)，三星SSD產(chǎn)品是目前市場(chǎng)上唯一自家生產(chǎn)封裝主控、閃存顆粒、以及組裝成品的固態(tài)硬盤廠商，單從這一點(diǎn)就能看出三星存儲(chǔ)擁有強(qiáng)大的研發(fā)及生產(chǎn)能力。力求為每一位使用者提供了更全面的，更快捷，更安全的使用體驗(yàn)，三星SSD確保卓越的品質(zhì)和可靠性，相信一定會(huì)是您提高電腦性能的最佳選擇。

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