根據(jù)此前各路消息，AMD這次會(huì)請(qǐng)出“HBM”(高帶寬顯存)，以立體堆疊的方式提升容量、性能并降低功耗，海力士都開(kāi)始投入量產(chǎn)了。

根據(jù)預(yù)測(cè)，AMD下一代旗艦卡R9 390X將會(huì)擁有4096個(gè)流處理器，同時(shí)搭配4GB 1GHz HBM顯存，可提供4096-bit位寬、640GB/s帶寬，十分恐怖。當(dāng)然這些指標(biāo)猜測(cè)的成分非常大，最終不一定如此，但是以HBM的潛力，無(wú)疑可以做得相當(dāng)高。

現(xiàn)在，AMD系統(tǒng)架構(gòu)經(jīng)理Linglan Zhang的簡(jiǎn)歷又曝光了更多相關(guān)秘密。

他的成就中有這么一條：“使用堆棧式HBM和硅中介層，開(kāi)發(fā)了全球第一款300W 2.5D獨(dú)立GPU SoC。”

信息量有點(diǎn)大，慢慢看。

首先，這再次確認(rèn)了AMD正在全力引入HBM技術(shù)，已經(jīng)毋庸置疑。

其次，所謂硅中介層(silicon interposer)是一種半導(dǎo)體封裝工藝，向立體堆疊邁進(jìn)但還只是個(gè)過(guò)渡技術(shù)，所以稱之為2.5D技術(shù)，與后邊的描述相對(duì)應(yīng)。

第三，300W，這意味著AMD新旗艦卡的功耗將超級(jí)大，肯定和麥克斯韋一樣，還是28nm工藝，未來(lái)等著直接邁向1xnm FinFET。

最后，SoC就是單芯片，這意味著AMD應(yīng)該是把HBM顯存直接封裝到了GPU芯片內(nèi)部，這肯定也是功耗比較高、核心規(guī)模較大的原因之一。

值得一提的是，NVIDIA此前也曾披露說(shuō)，未來(lái)將會(huì)在顯卡上引入3D Memory堆疊顯存技術(shù)，看樣子可能也會(huì)與GPU核心整合到一起，但要到麥克斯韋之后的下一代架構(gòu)“帕斯卡”上才會(huì)實(shí)現(xiàn)，那就至少是2016年的事兒了。

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