3D V-NAND全面應(yīng)用 新品亮點多

三星獨特創(chuàng)新的3D V-NAND閃存結(jié)構(gòu)，突破了目前傳統(tǒng)平面NAND結(jié)構(gòu)面臨的密度限制、性能與耐用性問題。3D V-NAND閃存由32個單元層垂直堆疊而成以適應(yīng)水平空間，并沒有減少單元層尺寸，而且由于采用了更小的碳足跡，此結(jié)構(gòu)密度更高，性能更卓越。

該技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進型的Charge Trap Flash 技術(shù)，在一個3D的空間內(nèi)垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲空間。這樣的設(shè)計，我們可以通俗的理解成，在單位空間內(nèi)，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，就好比在一塊土地上蓋房子，如果是采用平房結(jié)構(gòu)，那么就會降低土地的利用率，要是采用樓房的形式，就會大大提升單位面積的利用率。除此以外，相比上一代的840EVO產(chǎn)品，全新的850EVO擁有傲人的540MB/s的讀取速度以及520MB/s的寫入速度。

從120GB到1T 給你更多選擇

全新推出的三星850EVO系列固態(tài)硬盤，在外包裝計上采用了全白色包裝，另外，850 EVO仍是傳統(tǒng)的SATA 6Gbps 、2.5寸盤規(guī)格，6.8毫米超薄設(shè)計；容量方面，三星850EVO可謂全面，容量分別為120GB、250GB、500GB以及1TB，所搭配的緩存分別從256MB到1GB，850 EVO符合先進的安全管理標準（TCG Opal和IEEE1667）。

高速讀寫5年質(zhì)保 提供全面保障

除了擁有全新的技術(shù)，高速讀寫，更是850EVO的最大優(yōu)勢，由于采用了三星前沿技術(shù)——3D V-NAND技術(shù)，850 EVO擁有卓越的連續(xù)與隨機讀寫性能，可優(yōu)化日常計算。TurboWrite技術(shù)大幅度提升了850 EVO性能，不僅用戶體驗優(yōu)于840 EVO 10%，120/250GB型號的隨機讀寫速度更比840 EVO快1.9倍。實際上，850 EVO各容量連續(xù)讀?。?40MB/s）與寫入（520MB/s）性能均達到頂級水平。所有QD隨機讀寫性能均得到優(yōu)化，PC客戶端使用時，QD1和QD2隨機性能也得到大幅度提升。

另外，全新的850EVO的質(zhì)保時間相比上一代也延長了近一倍，由原來的3年質(zhì)保，提升到了5年質(zhì)保，這也顯示出了三星850EVO對產(chǎn)品充滿了信心。

通過上面的介紹，相信大家對全興的三星850EVO系列固態(tài)硬盤產(chǎn)，已經(jīng)有了初步的了解；相信加入三星獨有的3D V-NAND技術(shù)的全新850EVO固態(tài)硬盤產(chǎn)品一定會給新老用戶帶來更大的驚喜以及提供更加全面的使用感受。

renxinbo