“CES創(chuàng)新獎”由CEA于1976年設(shè)立。該獎由美國工業(yè)設(shè)計師協(xié)會(IDSA)和CEA專家聯(lián)合授予。在此之后，三星電子將在舉辦“CES 2015”的美國拉斯維加斯會議中心設(shè)置大型展位，展示榮獲CES創(chuàng)新獎的產(chǎn)品及在世界消費電子行業(yè)領(lǐng)先的其他產(chǎn)品與技術(shù)。

此次榮獲“CES 2015創(chuàng)新獎”的三星850PRO固態(tài)硬盤產(chǎn)品，其采用的全新32層3D V- NAND技術(shù)不僅使得該產(chǎn)品擁有極高的讀寫速度，更能夠為該系列產(chǎn)品提供更加持久的質(zhì)量保證。

此前應(yīng)用在SSD產(chǎn)品中的閃存芯片，所采用的2D平面型NAND技術(shù)是眾多SSD廠商所使用的，該技術(shù)最大的瓶頸就在于，臨近存儲單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲單元成為了SSD升級面臨的最大問題。由三星自主開發(fā)的32層堆疊，3D V-NAND技術(shù)的出現(xiàn)，完美的解決了這個問題；該技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進型的Charge Trap Flash 技術(shù)，在一個3D的空間內(nèi)垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲空間。這樣的設(shè)計，我們可以通俗的理解成，在單位空間內(nèi)，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，就好比在一塊土地上蓋房子，如果是采用平房結(jié)構(gòu)，那么就會降低土地的利用率，要是采用樓房的形式，就會大大提升單位面積的利用率。

而且，三星全新的32層 3D V-NAND技術(shù)，可以垂直堆疊更多個存儲單元，從而提高密度，降低碳足跡，并且還能可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度，使得該產(chǎn)品最快讀寫速度均在500M每秒以上。而且還使得32層3D V-NAND閃存的使用壽命，較之SLC閃存延長至兩倍以上，全新的三星3D V-NAND技術(shù)使得全新的SSD產(chǎn)品的工作負荷大大提升。每天可應(yīng)對40GB以上的超大容量，這樣的工作負荷等同于寫入150TB（TBW），確保了SSD具有更長的使用壽命；這也是三星850 PRO SSD產(chǎn)品能夠在業(yè)內(nèi)率先提供10年質(zhì)保的最大技術(shù)保障。

除了在閃存方面的技術(shù)提升，三星850 PRO固態(tài)硬盤，在主控方面采用了三星全新研發(fā)生產(chǎn)的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，它屬于ARM架構(gòu)的三核處理器，具備更強悍的多任務(wù)、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。主要提高在算法設(shè)計和CPU的頻率。與之前的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的頻率提高到400MHz。

此次三星存儲產(chǎn)品以及其它多款產(chǎn)品榮獲”CES2015創(chuàng)新獎“可謂實至名歸，三星電子北美總括李宗錫 (Gregory Lee)副社長表示：“三星電子致力于為世界各地消費者提供全新的使用體驗，消費者在‘CES 2015’現(xiàn)場將會看到三星電子的最新成果。”

作為消費者，相信三星電子產(chǎn)品，一定會在提高消費者使用體驗方面做出更大的創(chuàng)新，同時也期待三星存儲能夠為每一位消費者提供更加完善，更加便捷的產(chǎn)品體驗。

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