不過，三星似乎不太喜歡TLC這個名稱，官方一直說是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。

新閃存基于第二代3D堆疊工藝、CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)，同樣垂直堆了多達32層，每顆芯片容量為128Gb(16GB)。TLC V-NAND的量產(chǎn)有利于通用PC上SSD的普及和企業(yè)更為嚴苛的存儲需求，這給三星在閃存的市場占位提供了極大的競爭力。

具體制造工藝沒說，但看起來應(yīng)該是1xnm級別的。三星稱，相比于平面型的TLC，它可將晶圓的產(chǎn)能輸出翻一番還多，成本自然大大降低。

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