三星SM1715 3D V-NAND NVMePCIe SSD

那么與其它PCIe閃存卡相比，這款3D V-NAND產(chǎn)品到底擁有怎樣的市場定位呢?

首先，它在存儲(chǔ)容量方面還無法力壓群雄。HGST的FlashMax II存儲(chǔ)容量高達(dá)4.8TB，不過其性能表現(xiàn)卻有所不及——隨機(jī)讀取/寫入IOPS分別為26萬9千與5萬1千，每秒讀取/寫入傳輸能力則分別為2.6GB與0.9GB。HGST為其新一代FlashMax II帶來更為出色的速度表現(xiàn)，隨機(jī)讀取IOPS可達(dá)到53萬1千，但存儲(chǔ)容量卻相應(yīng)下降至2.2TB。

SanDisk (Fusion-io)所打造的ioDrive 2 Duo擁有2.4TB存儲(chǔ)容量，提供70萬隨機(jī)讀取IOPS(512字節(jié)數(shù)據(jù)塊)與每秒3GB連續(xù)讀取與寫入傳輸帶寬。Atomic SX300的存儲(chǔ)容量則為6.4TB，雖然21萬5千與30萬的隨機(jī)讀取/寫入IOPS仍遜于三星新產(chǎn)品、但兩項(xiàng)數(shù)據(jù)明顯更為平均。

英特爾、美光、希捷以及東芝的PCIe SSD產(chǎn)品則一方面容量落后，另一方面在速度上也普遍不敵三星新品。要與這位來自韓國的電子巨頭對抗，他們顯然需要對自己的產(chǎn)品線進(jìn)行一番更新。

根據(jù)我們的預(yù)期，這些存儲(chǔ)產(chǎn)品供應(yīng)商未來將陸續(xù)投身于NVMe這一強(qiáng)勢陣營。

三星電子公司內(nèi)存產(chǎn)品營銷事務(wù)副總裁JeehoBaek在一份聲明中指出：“三星計(jì)劃在未來為基于V-NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品帶來更出色的性能表現(xiàn)、存儲(chǔ)密度與可靠性水平。”

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