圖一：PMC認(rèn)為FlashTec NVRAM加速卡很好地填補(bǔ)了DRAM和PCI-E閃存卡之間的性能空白。

根據(jù)PMC公司介紹，F(xiàn)lashTec NVRAM加速卡基于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的NVMe接口，采用了PCI-E 3.0接口直接與主機(jī)相連，該產(chǎn)品采用了PMC的NVMe閃存控制器，目前擁有NV1616、NV1608、NV1604三個(gè)型號(hào)，分別配置了16GB、8GB和4GB容量。PMC公司表示FlashTec NVRAM加速卡能夠?qū)崿F(xiàn)性能十倍于當(dāng)前最快速的的固態(tài)盤(pán)，可提供超千萬(wàn)的IOPS。

圖二：PMC FlashTec NVRAM加速卡外觀，該加速卡配置了4Gb、8Gb和16Gb三個(gè)型號(hào)的DRAM，同時(shí)還有閃存?zhèn)浞菽K和備份電源模塊。

PMC公司專(zhuān)家張冬表示：“FlashTec NVRAM加速卡為一款標(biāo)準(zhǔn)半高、半長(zhǎng)尺寸的PCI-E卡，其設(shè)計(jì)緊湊，可以放入任何服務(wù)器之中，基本可以與所有服務(wù)器兼容。”

“幾年前，50K IOPS的系統(tǒng)屬于非常高端的。但是，現(xiàn)在則是連入門(mén)級(jí)都稱(chēng)不上?，F(xiàn)在SSD的普及之后，性能提升非?？?，但是性能提升的同時(shí)SSD的耐用度問(wèn)題開(kāi)始顯現(xiàn)，目前閃存的耐用度已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足不斷攀升的IOPS速度。而從性能的角度來(lái)看，DRAM是非常理想的選擇，但是DRAM的缺陷是非常容易受到電源故障的影響，必須為DRAM增加UPS或者備用電池來(lái)做斷電保護(hù)，這樣無(wú)疑增加了維護(hù)難度和機(jī)架空間。”張冬補(bǔ)充道。

圖三：PMC FlashTec NVRAM加速卡的兩種應(yīng)用模型，氛圍基于塊的訪(fǎng)問(wèn)和內(nèi)存映射的訪(fǎng)問(wèn)。

張冬表示：“相比于SSD性能不均衡，F(xiàn)lashTec加速卡可以持續(xù)提供均衡的性能。FlashTec提供了NVMe的原生接口，容易整合；此外，還提供了內(nèi)存映射訪(fǎng)問(wèn)，在該模式下，F(xiàn)lashTec加速卡將內(nèi)存容量直接映射到應(yīng)用的虛擬內(nèi)存地址空間。當(dāng)應(yīng)用需要訪(fǎng)問(wèn)之時(shí)，CPU可以當(dāng)作原生內(nèi)存來(lái)使用，無(wú)需消耗任何存儲(chǔ)周期。”

FlashTec NVRAM：定位在閃存細(xì)分市場(chǎng)

不可否認(rèn)，閃存在數(shù)據(jù)中心形成普及應(yīng)用的趨勢(shì)下，用戶(hù)對(duì)于閃存的需求也開(kāi)始走向細(xì)分，這種現(xiàn)象也在客觀上刺激了廠(chǎng)商在閃存上面的創(chuàng)新，就如PMC推出的針對(duì)寫(xiě)緩存和元數(shù)據(jù)處理等應(yīng)用的FlashTec NVRAM加速卡。PMC公司也認(rèn)為FlashTec NVRAM的市場(chǎng)覆蓋范圍將不會(huì)像通用性的閃存產(chǎn)品那樣廣泛。

圖四：在高性能SSD層和DRAM層之間是當(dāng)前閃存創(chuàng)新的聚焦點(diǎn)。

事實(shí)上，在當(dāng)前市場(chǎng)中，除了PMC之外，也有其他廠(chǎng)商在專(zhuān)注于更快速的閃存產(chǎn)品的創(chuàng)新。比如當(dāng)前比較流行的NV-DIMM產(chǎn)品，其通過(guò)閃存+電容組成的內(nèi)存條的方式來(lái)提升處理速度。PMC技術(shù)專(zhuān)家張冬表示：“NV-DIMM的機(jī)制與FlashTec NVRAM類(lèi)似，但是FlashTec具有容量大、不占用DIMM插槽，F(xiàn)lashTec還有一個(gè)專(zhuān)門(mén)的處理器來(lái)移動(dòng)數(shù)據(jù)，減輕CPU的數(shù)據(jù)移動(dòng)處理消耗。”

圖五：PMC公司認(rèn)為NV-DIMM的加速方式需要更加復(fù)雜的系統(tǒng)設(shè)置。

“NV-DIMM需要服務(wù)器主板的BIOS支持，且NV-DIMM與DIMM之間難以混合，需要額外的電源來(lái)支持DIMM插槽，并且會(huì)占用CPU周期內(nèi)存總線(xiàn)帶寬等缺陷。”張冬補(bǔ)充道。

不過(guò)張冬也承認(rèn)FlashTec NVRAM加速卡并不會(huì)像通用型閃存產(chǎn)品那樣擁有廣泛的應(yīng)用范圍。張冬表示：“FlashTec不會(huì)是很通用的場(chǎng)景，像分布式存儲(chǔ)的元數(shù)據(jù)節(jié)點(diǎn)是限制分布式存儲(chǔ)性能的關(guān)鍵，元數(shù)據(jù)處理太慢會(huì)導(dǎo)致分布式存儲(chǔ)整體性能刪不去，F(xiàn)lashTec會(huì)很適合解決這種場(chǎng)景問(wèn)題；另外，像互聯(lián)網(wǎng)用戶(hù)登陸產(chǎn)生的一堆日志，數(shù)據(jù)非常小，但是跟關(guān)鍵應(yīng)用結(jié)合緊密，需要FlashTec這樣的產(chǎn)品來(lái)提升處理速度。”

最后，張冬表示后續(xù)會(huì)推出更多容量規(guī)格的FlashTec NVRAM加速卡產(chǎn)品，當(dāng)前的4GB-16GB容量規(guī)格已經(jīng)能夠滿(mǎn)足用戶(hù)的使用。 

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