Intel 14nm的柵極間距為70nm，內(nèi)部互聯(lián)最小間距為52nm，這兩項(xiàng)指標(biāo)分別比22nm縮小了22%、35%。

相比之下，臺積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當(dāng)于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而內(nèi)部互聯(lián)最小間距則都是64nm，相比于Intel大了23%。

這些間距越小，就可以把晶體管做得更小、更密，對于電路集成度、芯片性能的重要性不言而喻。

Intel近幾代工藝進(jìn)化史

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