本次閃存存儲峰會上，Memblaze的CTO，同時也是創(chuàng)始人之一的路向峰，在論壇上做了演講，著重向業(yè)內(nèi)展示了ECC糾錯、全區(qū)均衡磨損、MemRAID、隨機化、數(shù)據(jù)重讀、垃圾回收等六大創(chuàng)新性閃存技術(shù)，并與參會嘉賓共同探討了如何在產(chǎn)品的不同層級，應用多樣化技術(shù)保證產(chǎn)品穩(wěn)定性并優(yōu)化性能。

　　此次峰會上，備受矚目的莫過于Memblaze的全區(qū)均衡磨損技術(shù)（Global Wear-leveling）。據(jù)悉，該技術(shù)運用在閃存產(chǎn)品之后，對于一定時間內(nèi)沒有發(fā)生任何數(shù)據(jù)改變的靜態(tài)模塊，系統(tǒng)會將其上的冷數(shù)據(jù)搬遷到使用率較高的模塊上，而讓熱點數(shù)據(jù)優(yōu)先使用這些使用率低的單元，由此平衡熱點數(shù)據(jù)寫入，避免某一閃存物理塊過度使用造成損壞，從而可以將FlashFlash產(chǎn)品的使用壽命的技術(shù)延長4倍以上，顯著降低客戶的采購成本及總體擁有成本（TCO）。

　　在展覽展示區(qū)，Memblaze首次曝光了其最新的閃存產(chǎn)品FlashRAID和PBlazeIV，并期待與國際伙伴達成深度合作。據(jù)悉，F(xiàn)lashRAID是一款面向企業(yè)級客戶的高可靠性產(chǎn)品及解決方案，采用PCIe3.0接口，支持最多12個NVMe SSD閃存盤，單盤容量可高達2TB。PBlazeIV是Memblaze應對全球標準化而推出的首款NVMe接口閃存產(chǎn)品，支持熱插拔，采用NVMe1.0協(xié)議，PCIe3.0*8接口，最大容量可達6.4TB，順序讀速度最大可達4.5GB/s。

　　“客戶關(guān)注的不僅僅是性能和價格，可靠性對于企業(yè)來說是至關(guān)重要的。每年，閃存產(chǎn)品由于壞塊引起的報廢，給客戶帶來了巨大損失。”北美區(qū)商務副總John Baskett介紹“在閃存技術(shù)越來越發(fā)達的今天，可靠性依然是企業(yè)客戶最為關(guān)注的特性，尤其對于全閃存數(shù)據(jù)中心來說，可靠性更為主要。Memblaze為客戶提供高性能、高性價比產(chǎn)品的同時，更為關(guān)注產(chǎn)品可靠性，持續(xù)降低客戶數(shù)據(jù)中心的建設成本。

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