英特爾非常自豪的介紹了他們在推進摩爾定律方面所取得的進步，在過去的幾年時間里，14nm取得了明顯的進步，英特爾在推進摩爾定律方面做出來巨大貢獻，同時英特爾表示，再推進摩爾定律的時候，摩爾定律的收益也并沒有受到影響，下面我們來看一下14nm制程的一些信息。

工藝進步

我們可以看到14nm工藝先比22nm在多方面都有了進步，在內(nèi)部晶體管間距、晶體管柵極間距以及晶體角距等方面都相比上一代有了大幅度進步。

互聯(lián)技術(shù)

14nm的產(chǎn)品能夠提供更優(yōu)的互聯(lián)技術(shù)。

晶體管間距的改變

晶體管間距

Broadwell 處理器將高性能和低功耗相結(jié)合，非常適合移動設(shè)備使用。Haswell 處理器已經(jīng)實現(xiàn)了令人印象深刻的電池續(xù)航，而Broadwell 會進一步改善設(shè)備續(xù)航。

第2頁：Broadwell處理器提供更好的性能

更高的性能

針對移動、平板和Server平臺，，Broadwell處理器能夠在性能方面帶來大幅的提升，而在功耗方面，則持續(xù)降低。

對產(chǎn)品的提升

我們來看下晶體管的研發(fā)費用，首先我們看到，晶體管越來越小，研發(fā)費用逐漸上升，但我們看第三幅圖，每個晶體管的研發(fā)價格是越來越低的。

研發(fā)花費

下面我們來看一下Broadwell的一些特點，其采用了全新的外觀設(shè)計，這樣讓系統(tǒng)可以安靜的運行，并且提升了散熱功能，散熱裝置的尺寸可以減少兩倍。

Broadwell利用全新微架構(gòu)和生產(chǎn)工藝，與上代處理器相比，英特爾架構(gòu)師和芯片設(shè)計師實現(xiàn)了散熱設(shè)計減小兩倍的目標(biāo)，同時性能保持不變，并改善了電池續(xù)航。

英特爾實現(xiàn)了全球第一個實現(xiàn)了14納米工藝批量生產(chǎn)。Broadwell使用第二代三柵極晶體管，性能、功能、密度和成本都是業(yè)界領(lǐng)先。

在未來，英特爾14納米工藝將用來生產(chǎn)各種高性能、低功耗產(chǎn)品，包括服務(wù)器、個人計算設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)。

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