通過(guò)使用激光熱輔助技術(shù)在高可靠性介質(zhì)上以磁性記錄數(shù)據(jù)，HAMR技術(shù)能夠?yàn)槿找嬖鲩L(zhǎng)的磁錄密度(AD)提供解決方案。該技術(shù)在磁頭記錄時(shí)，暫時(shí)對(duì)磁盤(pán)表面進(jìn)行加熱，以穩(wěn)定的方式壓縮數(shù)據(jù)位。這種方式可以增加5倍以上的數(shù)據(jù)密度，并且最終實(shí)現(xiàn)高達(dá)每英寸4TB的存儲(chǔ)容量。 目前的垂直記錄技術(shù)（PMR）的限制，不超過(guò)800Gbits/1英寸左右。

HAMR是昂貴的，需要投入大量的新技術(shù)研發(fā)，所以其發(fā)布已被推遲，而硬盤(pán)制造商的盤(pán)片，仍然采用鵝卵石磁記錄（SMR），以增加磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的容量，同時(shí)仍然使用PMR設(shè)備。

一年前Luczo認(rèn)為自己領(lǐng)先行業(yè)一大截，現(xiàn)在是WD 的CTO Bill Cain可能一年前就布局HAMR，在2013中國(guó)（寧波）新材料與產(chǎn)業(yè)化國(guó)際論壇上宣布基于HAMR的磁盤(pán)產(chǎn)品。

HAMR似乎也是不得已而為之的技術(shù)。如果沒(méi)有類似的數(shù)據(jù)密度增長(zhǎng)之法，磁介質(zhì)的"最大物理密度"限制或許就很難突破了。

WD發(fā)布了官方信息：“WD致力于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器上的創(chuàng)新，HAMR技術(shù)的將使未來(lái)的存儲(chǔ)能力遷移路徑中的關(guān)鍵一步。”

WD技術(shù)副總裁Dr. William Cain認(rèn)為，我們可以看到HAMR制作4,000 Gbit/in2或4兆兆位每平方英寸的面密度。我們必須尋求股東實(shí)現(xiàn)8TB的2.5英寸磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。

但是什么時(shí)候？ WD不說(shuō)。

WD提前讓磁盤(pán)進(jìn)入HAMR時(shí)間，與此同時(shí)，HGST子公司通過(guò)添加一個(gè)充滿氦氣的驅(qū)動(dòng)器機(jī)箱內(nèi)部的盤(pán)片增加磁盤(pán)容量。如果中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)終于讓W(xué)D和HGST合并和技術(shù)相結(jié)合，我們可以看到提供3TB在1Tbit/in2密度的氦HAMR驅(qū)動(dòng)器。

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