最新應(yīng)用針對(duì)數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品線，845 DC PRO以及845 DC EVO,其中PRO針對(duì)寫入為主的應(yīng)用，包括需要更高速度的DB服務(wù)器以及APP服務(wù)器應(yīng)用場(chǎng)景。 EVO針對(duì)讀為主的應(yīng)用包括CDN應(yīng)用以及Web服務(wù)器應(yīng)用場(chǎng)景。

845 DC EVO具體特點(diǎn)

845 DC PRO具體特點(diǎn)

現(xiàn)場(chǎng)V-NAND SSD性能展示的數(shù)據(jù)給筆者留下了深刻的印象，通過(guò)對(duì)比，雙方都使用相同的內(nèi)存，可以清晰的看到使用三星SV843固態(tài)硬盤的產(chǎn)品以及使用傳統(tǒng)的15000轉(zhuǎn)硬盤在性能上有著無(wú)比的優(yōu)勢(shì)。同時(shí)能耗上也有很大優(yōu)勢(shì)。

采用三星SV843固態(tài)硬盤的綠色數(shù)據(jù)中心解決方案

普通硬盤的測(cè)試數(shù)據(jù)

左邊是適用SV843固態(tài)硬盤的綠色數(shù)據(jù)中心解決方案，右邊是使用傳統(tǒng)硬盤的數(shù)據(jù)中心，在能耗特別是性能上的差距十分巨大

PM 853T，該硬盤采用2.5寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，SATA 6Gbps接口，240GB、480GB、960GB三種容量，從展示上看到三星重點(diǎn)說(shuō)明PM853T是面向數(shù)據(jù)中心所設(shè)計(jì)的一款高性能SSD。其擁有在IOPS方面的優(yōu)越性能以及低的時(shí)延。采用三星最新的3-bit MLC NAND閃存技術(shù),相對(duì)于傳統(tǒng)的錯(cuò)誤檢查和糾正技術(shù)（ECC）擁有更好的糾錯(cuò)率，在使用壽命上相對(duì)于同類產(chǎn)品來(lái)說(shuō)有很大的提升。

SV 843是全世界首款量產(chǎn)的3D V-NAND閃存，與平面NAND閃存相比使用更持久和更多的容量以及更低的功耗，對(duì)于驅(qū)動(dòng)來(lái)說(shuō)擁有極低的延遲以及負(fù)荷。針對(duì)數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，該產(chǎn)品擁有高擦寫次數(shù)：高達(dá)3.6倍的每天全寫。

SM843T為數(shù)據(jù)中心優(yōu)化而設(shè)計(jì)，擁有極低的延遲以及負(fù)荷。以及平均每天1.8倍的全寫容量，擁有更高的高擦寫次數(shù)。

面向企業(yè)級(jí)的SM1633、SM1635以及SM1637

SAS 12GB/s接口，完全支持雙活雙端口，可混合使用SAS磁盤。其中SM1633擁有替換低價(jià)格的15000轉(zhuǎn)的硬盤。

面向數(shù)據(jù)中心的PCIe系列產(chǎn)品，圖片中央展示的是SM1715，當(dāng)前1600GB、3200GB兩種容量，隨機(jī)讀寫分別達(dá)到750000IOPS、180000IOPS。

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