三星在西安的12英寸晶圓廠將達(dá)到3D NAND閃存的生產(chǎn)要求，他們計(jì)劃在2014年再有新的NAND閃存晶圓廠投入運(yùn)作。

　　不久前東芝在日本的四日市新晶圓廠破土動(dòng)工，將在2014年夏季投入使用，生產(chǎn)3D NAND閃存和具有更多高級(jí)節(jié)點(diǎn)技術(shù)的芯片。預(yù)計(jì)東芝會(huì)在2015年開始量產(chǎn)3D NAND芯片，而據(jù)稱現(xiàn)在已經(jīng)有樣品提供。

　　美光CEO Mark Durcan早前也表示他們會(huì)在2014年第一季度開始提供3D NAND閃存的樣品。

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