英特爾公司副總裁兼英特爾閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck表示：“英特爾已經(jīng)驗(yàn)證的第四代多級(jí)單元技術(shù)可為我們的嵌入式產(chǎn)品客戶提供出色的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。英特爾StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器是我們的每位成本（cost-per-bit）最低的解決方案，可為嵌入式應(yīng)用開發(fā)商提供一個(gè)全面的特性集，其中包括高性能、更多安全選件、以及支持電池供電的低壓特性等?！?nbsp;

    據(jù)悉，全新英特爾StrataFlash 嵌入式存儲(chǔ)器產(chǎn)品家族將提供從64 MB到1 GB的廣泛密度，從而可為開發(fā)商提供一條輕松的升級(jí)路徑，同時(shí)還可避免重新設(shè)計(jì)工作，并能夠最大限度地降低成本。

    密度為64 Mb ? 512 Mb的英特爾StrataFlash 嵌入式存儲(chǔ)器將于2005年第二季度推出，并可與免版稅英特爾閃存軟件結(jié)合使用，以改進(jìn)數(shù)據(jù)和文件管理。密度為1 Gb的設(shè)備將于2005年下半年推出。
   
  

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