富士通首席執(zhí)行官Joseph Reger
他說(shuō):“你可以讓控制器很智能,SandForce很實(shí)用,但是它并沒有解決這個(gè)問(wèn)題,只是設(shè)置了限制。閃存并不是目標(biāo),只是一個(gè)中間階段。”
Reger表示:“我認(rèn)為,隨著時(shí)間的推移,閃存將成為歷史。我們將需要另外一些技術(shù)來(lái)獲得一個(gè)新的存儲(chǔ)層。”
他認(rèn)為理想的存儲(chǔ)層應(yīng)該是,當(dāng)你從一種內(nèi)存跳到另一個(gè)內(nèi)存再到存儲(chǔ)的時(shí)候,訪問(wèn)速度也呈現(xiàn)幾何式的跳躍。他坦言,從成為一項(xiàng)可用技術(shù)的時(shí)間上來(lái)說(shuō)相變內(nèi)存(PCM)是最接近的,相比其他諸如惠普Memristor這樣的技術(shù)。
其中的一個(gè)方面是——假設(shè)最終閃存被相變內(nèi)存或者其他固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)所淘汰,那么專注閃存的技術(shù)初創(chuàng)廠商(例如SandForce和Anobit)就會(huì)陷入困境。 他們的技術(shù)解決了閃存固有的問(wèn)題,沒有閃存的話也就沒有人需要他們的技術(shù)了。
Reger還指出,全閃存陣列代表了單點(diǎn)優(yōu)化,也許會(huì)火一段時(shí)間,但是如今主要問(wèn)題在于大規(guī)模共享。如果我們?cè)O(shè)想大規(guī)模SAN和NAS存儲(chǔ)庫(kù)的話,閃存并不是這些應(yīng)用的最佳選擇。
內(nèi)存與存儲(chǔ)
Reger還有一個(gè)關(guān)于針對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)和類似應(yīng)用的新型內(nèi)存架構(gòu)的擔(dān)憂:“現(xiàn)在挑戰(zhàn)變成了我們?nèi)绾慰创龜?shù)據(jù)訪問(wèn)的問(wèn)題。沒有必要使用基于磁盤訪問(wèn)的技術(shù)理念,內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)在這方面可能更智能一些。”
“在不遠(yuǎn)的將來(lái),我們我們能否簡(jiǎn)單地信任放入服務(wù)器的一些內(nèi)存,因?yàn)橐磺卸际情W存的?想像一下我們有2TB內(nèi)存會(huì)如何。這在內(nèi)存管理和存儲(chǔ)管理方面意味著什么?”
他問(wèn),如果一切將被改寫,并重新規(guī)劃與數(shù)據(jù)內(nèi)存管理協(xié)同工作,是否最終只有一個(gè)存儲(chǔ)層,內(nèi)存的某種形式?
SandForce固態(tài)盤處理器
“現(xiàn)在,有數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)里意思是說(shuō)它不在內(nèi)存中,未來(lái)還是如此嗎?”畢竟,發(fā)明存儲(chǔ)的最初目的是應(yīng)對(duì)內(nèi)存大小的局限問(wèn)題,那么如果沒有這些局限的話,誰(shuí)會(huì)需要存儲(chǔ)?
Reger表示:“我真的認(rèn)為,未來(lái)我們將以數(shù)據(jù)為主導(dǎo),而不是以內(nèi)存或者存儲(chǔ)為主導(dǎo)。”但是也恐怕要等到遙遠(yuǎn)的未來(lái)了。
他認(rèn)為未來(lái)幾年內(nèi)閃存不會(huì)在數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)中占很重的比例,但是對(duì)于某些特定使用實(shí)例來(lái)說(shuō)對(duì)非常重要,例如需要很高IOPS或者最高能效。他坦言,閃存在能源效率方面要比硬盤高出3個(gè)數(shù)量級(jí),帶寬方面高出2個(gè)數(shù)量級(jí)。PCM則更高。
即便如此:“未來(lái)十年內(nèi)磁盤仍將存在。”
全閃存陣列
諸如Nimbus、Violin和華賽等廠商的全閃存陣列產(chǎn)品就其目的來(lái)說(shuō)是好的,為磁盤I/O密集的應(yīng)用提供數(shù)據(jù)支持,但是他們的控制器軟件將針對(duì)閃存進(jìn)行優(yōu)化。一般來(lái)說(shuō)硬盤存儲(chǔ)陣列控制器軟件將針對(duì)磁盤進(jìn)行優(yōu)化。但是,Reger表示:“我們有兩個(gè)代碼棧。”這將導(dǎo)致管理全閃存陣列和硬盤陣列的問(wèn)題。
也許我們需要某種位于閃存陣列和磁盤陣列之上的抽象層,使得每個(gè)類型存儲(chǔ)的細(xì)節(jié)對(duì)于上層棧來(lái)說(shuō)是隱藏的。
那么富士通會(huì)推出全閃存的Eternus陣列嗎?富士通存儲(chǔ)主管Marcus Schneider表示,有可能,但目前并不是討論這個(gè)問(wèn)題的時(shí)候。
NAND閃存工藝尺寸縮放以及時(shí)間對(duì)照表
大型固態(tài)存儲(chǔ)庫(kù)
富士通對(duì)于閃存未來(lái)的看法是,利用閃存與全閃存陣列將造成閃存陣列操作與管理以及磁盤陣列操作與管理之間的沖突。每一次工藝尺寸縮小以及單元字位水平都將帶來(lái)閃存耐用性、速度和錯(cuò)誤處理的新難題,但是將打開通向大規(guī)模閃存陣列的一條道路,大到足以在內(nèi)存中處理整個(gè)應(yīng)用和數(shù)據(jù)。
這將帶來(lái)一個(gè)新的沖突點(diǎn),因?yàn)闆]有必須向這樣的陣列中寫入數(shù)據(jù)或者從中讀取數(shù)據(jù),即使有一個(gè)底層的硬盤結(jié)構(gòu)。而且,因?yàn)椴皇欠且资缘模枰獙?nèi)容拷貝到磁盤嗎?也許是的,因?yàn)殚W存或者固態(tài)存儲(chǔ)將被作為在線存儲(chǔ),磁盤作為近線存儲(chǔ),磁帶作為離線存儲(chǔ),它有一個(gè)磁盤無(wú)法匹配的成本設(shè)置。
通過(guò)與Reger的交談我們了解到,大型閃存陣列打開了面向內(nèi)存架構(gòu)的大門,不管最終哪種技術(shù)取代閃存。
沒有什么能夠永遠(yuǎn)存在。閃存是通向固態(tài)存儲(chǔ)和非易失性存儲(chǔ)未來(lái)的大門,很有可能會(huì)給我們解決、管理和保護(hù)大量數(shù)據(jù)帶來(lái)根本性的變化。