存儲(chǔ)芯片的電壓演進(jìn)
在此前的文章中已經(jīng)講過(guò)存儲(chǔ)芯片壽命降低的緣由:隨著SLC—MLC—TLC的進(jìn)化,存儲(chǔ)顆粒能夠在基本不增加晶體管規(guī)模的情況下實(shí)現(xiàn)容量翻倍,但代價(jià)是操控存儲(chǔ)單元的電壓也從2種變成了4種(MLC)、8種(TLC),頻繁切換指令給晶體管承受的電流沖擊亦變本加厲,導(dǎo)致故障率猛增。從道理上來(lái)說(shuō),和反復(fù)開(kāi)關(guān)家用電器會(huì)影響使用壽命的原理是差不多的。
這樣發(fā)展下去的結(jié)果是TLC的下一代——已經(jīng)實(shí)物化了的QLC要依據(jù)16種電壓規(guī)格進(jìn)行寫(xiě)入操作,其壽命短到只能作為一次性存儲(chǔ)器使用。
MLC壽命變差的原理
現(xiàn)在不妨拋開(kāi)顆粒發(fā)展的問(wèn)題,只停留在還算成熟和穩(wěn)定的MLC上,看看不同時(shí)代的MLC顆粒有哪些變化。
在《固態(tài)硬盤(pán)發(fā)展之殤:漸行漸遠(yuǎn)的企業(yè)存儲(chǔ)方案》有一張圖是用來(lái)描述固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于ECC校驗(yàn)依賴性的,不過(guò)其中的一些其他信息成為了本文的重要內(nèi)容。
在這張圖里除了顯示出SSD固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于ECC校驗(yàn)越來(lái)越依賴之外,在橫軸上列舉了5種類(lèi)型的存儲(chǔ)顆粒,分別是SLC、50納米工藝的MLC、 30納米工藝的MLC、20納米工藝的MLC以及TLC,中間的三種MLC的壽命又是什么情況呢?在圖中可以很清楚的看到,50納米MLC的壽命是 10000次,依賴于4bit ECC校驗(yàn),30納米MLC的壽命是5000次,依賴于8bit ECC校驗(yàn),而20納米MLC的寫(xiě)入壽命是3000次,依賴15bit ECC校驗(yàn)。
也就是說(shuō)同樣是MLC顆粒,隨著制造工藝的提升,晶體管也朝著越來(lái)越脆弱的方向發(fā)展了,如果不是ECC校驗(yàn)規(guī)格不斷提升,MLC的寫(xiě)入壽命也隨著工藝進(jìn)步在以不可思議的速度衰退。
ECC校驗(yàn)會(huì)占用一定的性能,這部分要依賴于主控芯片,幸好主控芯片的性能提升幅度比較大,讓SSD廠商得以從軟件上彌補(bǔ)硬件的不足。不過(guò)工藝提升的道路是無(wú)休止的,最駭人聽(tīng)聞的事情還是出現(xiàn)了。
新工藝帶來(lái)的不僅是壽命問(wèn)題
今年的CES,SSD固態(tài)硬盤(pán)廠商鎂光發(fā)布了新品:Crucial M500系列SSD固態(tài)硬盤(pán),將2.5寸固態(tài)硬盤(pán)的容量提升到了960GB。從參數(shù)表上來(lái)看,960GB的產(chǎn)品似乎還不錯(cuò),讀取500MB/s,寫(xiě)入 400MB/s,4K讀寫(xiě)都達(dá)到了80K IOPS,三年質(zhì)保。
然而就像你永遠(yuǎn)無(wú)法從筆記本或者手機(jī)的參數(shù)表里知道所有重要信息一樣,如果深究起來(lái),20nm工藝制造的128Gbit存儲(chǔ)顆粒問(wèn)題也不少。
這張圖列舉了MLC顆粒在50納米到20納米之間的性能差異,而960GB固態(tài)硬盤(pán)使用的就是最后一組,即20納米128Gbit存儲(chǔ)顆粒。這張圖已經(jīng)清楚的將工藝提升帶來(lái)的性能參數(shù)全面衰退記錄了下來(lái),尤其是前一頁(yè)提到的壽命縮水,MLC壽命已經(jīng)隨著工藝提升縮水掉了70%。
但是很意外的是除了壽命縮水之外,MLC引以為傲的性能優(yōu)勢(shì)也被新工藝抹殺掉了。這張圖沒(méi)有將TLC的性能規(guī)格放進(jìn)去做對(duì)比。如果這件事由我來(lái)代勞的話,可以看到這樣一組對(duì)比數(shù)據(jù)。
本圖中的MLC是指50納米版本,因此要結(jié)合前面一張圖最后一列看。TLC的讀取延遲是75us,20納米MLC是115us,TLC編程延遲是900到1350us,而20納米MLC是1600us,擦除延遲TLC是4.5ms,20納米MLC是3.8ms。也就是說(shuō),新工藝MLC在某些關(guān)鍵參數(shù)上甚至還不如天生不靠譜的TLC。
測(cè)試數(shù)據(jù)驗(yàn)證MLC性能退步
如果將上面這些理論落實(shí)到評(píng)測(cè)數(shù)據(jù)里,國(guó)外媒體Anandtech通過(guò)測(cè)試數(shù)據(jù)證實(shí)了20nm MLC究竟有多差勁。以下是一部分參考截圖。
測(cè)試數(shù)據(jù)總結(jié)下來(lái)就9個(gè)字:速度慢延遲長(zhǎng)功耗高。不過(guò)對(duì)于廠商來(lái)說(shuō),工藝提升意味著成本降低,任何負(fù)面都是無(wú)法阻止工藝提升的腳步的,用戶能做的只有慢慢習(xí)慣性能越來(lái)越差的新產(chǎn)品。
說(shuō)到最后再提一個(gè)假設(shè):是不是在某個(gè)時(shí)間點(diǎn),企業(yè)級(jí)的芯片存儲(chǔ)和民用級(jí)的芯片存儲(chǔ)會(huì)因?yàn)樵V求分歧過(guò)大而徹底分道揚(yáng)鑣?