功率和可靠性

S620在性能上超出其他SATA固態(tài)硬盤(pán)的方面是硬盤(pán)耐用性。s620的NAND在開(kāi)始磨損之前可以寫(xiě)入超過(guò)3.4PB的隨機(jī)數(shù)據(jù)。

功率與長(zhǎng)期成本密切相關(guān)。功率較低意味著冷卻成本較低和產(chǎn)品壽命更長(zhǎng)。

在空載條件下，STEC 620的功率為3.34瓦，而希捷ES.3的功率為6.73瓦。在隨機(jī)連續(xù)讀數(shù)據(jù)條件下，STEC 620的功率為3.76瓦，而希捷ES.3的功率躍增至11.27瓦。 兩者之間的差距幾乎達(dá)到了3倍。

隨著硬盤(pán)架數(shù)量的增加，兩者之間的功率差距將會(huì)更大。

結(jié)論

雖然希捷ES.3和STEC s620均為企業(yè)級(jí)硬盤(pán)，但它們適用于不同的應(yīng)用方案。

希捷硬盤(pán)的容量范圍廣，而性能差距并不大，適用于低成本、可靠的、大存儲(chǔ)應(yīng)用環(huán)境。

STEC s620則適用于一些特殊的應(yīng)用，比如引導(dǎo)盤(pán)或要求可靠性高而功率低的嵌入式應(yīng)用。

這些設(shè)備在各自適用的應(yīng)用領(lǐng)域的表現(xiàn)都很不錯(cuò)。

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