Wide I/O則是三星、海力士等為首提出的移動內(nèi)存技術(shù)，通過TSV等方式進行堆疊封裝，實現(xiàn)四通道512-bit的超高內(nèi)存位寬，不過第一代僅支持傳統(tǒng)的 SDR內(nèi)存，并未真正投入實用，預計第二代將會支持LPDDR，甚至支持桌面的DDR3-2133、DDR4-3200。

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