3、 SDRAM內(nèi)存

SDRAM，即Synchronous DRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)，曾經(jīng)是PC電腦上最為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型。既然是“同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間。

4、 DDR SDRAM內(nèi)存

現(xiàn)在的主流內(nèi)存DDR系列就是DDR SDRAM發(fā)展而來的，DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

5、 RDRAM內(nèi)存

RDRAM(Rambus DRAM)是美國(guó)的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。他徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，所以在制造和生產(chǎn)上費(fèi)用都要高許多，但同時(shí)它的頻率是遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DDR的。但綜合性能和成本，RDRAM對(duì)于DDR來說沒有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

技術(shù)的進(jìn)化

ECC技術(shù)

記得上學(xué)那會(huì)老師就講過“奇偶校驗(yàn)”這是一種最初級(jí)最簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)驗(yàn)證對(duì)錯(cuò)的方法，如今這一技術(shù)也已經(jīng)進(jìn)化，ECC技術(shù)全名叫做“錯(cuò)誤檢查糾正”從這個(gè)名稱我們就可以看出它的主要功能就是“發(fā)現(xiàn)并糾正錯(cuò)誤”，它比奇偶校正技術(shù)更先進(jìn)的方面主要在于它不僅能發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，而且能糾正這些錯(cuò)誤，這些錯(cuò)誤糾正之后計(jì)算機(jī)才能正確執(zhí)行下面的任務(wù)，確保服務(wù)器的正常運(yùn)行。

Chipkill技術(shù)

Chipkill技術(shù)是IBM公司為了解決目前服務(wù)器內(nèi)存中ECC技術(shù)的不足而開發(fā)的，是一種新的ECC內(nèi)存保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。我們知道ECC內(nèi)存只能同時(shí)檢測(cè)和糾正單一比特錯(cuò)誤，但如果同時(shí)檢測(cè)出兩個(gè)以上比特的數(shù)據(jù)有錯(cuò)誤，則無能為力，而Chipkill彌補(bǔ)了這一缺點(diǎn)。

Memory ProteXion 內(nèi)存保護(hù)技術(shù)

Memory ProteXion技術(shù)最初是為IBM的主機(jī)開發(fā)的，在IBM公司的z系列和i系列服務(wù)器中應(yīng)用了多年。它相對(duì)前面介紹的Chipkill內(nèi)存技術(shù)在保護(hù)能力上更強(qiáng)些。它類似于硬盤的熱備份，存儲(chǔ)芯片失效時(shí)，內(nèi)存保護(hù)技術(shù)能夠自動(dòng)利用備用比特位自動(dòng)找回?cái)?shù)據(jù)。

Memory Mirroring內(nèi)存鏡像技術(shù)

同樣來自于IBM，在內(nèi)存保護(hù)技術(shù)之上再次強(qiáng)化，當(dāng)服務(wù)器遇到了前面介紹的Chipkill修復(fù)技術(shù)和內(nèi)存保護(hù)技校術(shù)都不能完全修復(fù)時(shí)，內(nèi)存鏡像技術(shù)可以得到更高級(jí)的內(nèi)存保護(hù)。

Register技術(shù)

Register即寄存器或目錄寄存器，在內(nèi)存上的作用我們可以把它理解成書的目錄，有了它，當(dāng)內(nèi)存接到讀寫指令時(shí)，會(huì)先檢索此目錄，然后再進(jìn)行讀寫操作，若所須數(shù)據(jù)在目錄中則直接取用不再進(jìn)行讀寫操作，這將大大提高服務(wù)器內(nèi)存工作效率。

FB-DIMM技術(shù)

FB-DIMM(Fully Buffered-DIMM，全緩沖內(nèi)存模組)是Intel在DDR2的基礎(chǔ)上發(fā)展出來的一種新型內(nèi)存模組與互聯(lián)架構(gòu)。 FB-DIMM可以極大地提升系統(tǒng)內(nèi)存帶寬并且極大地增加內(nèi)存最大容量。FB-DIMM技術(shù)的出現(xiàn)是Intel為了解決內(nèi)存性能對(duì)系統(tǒng)整體性能的制約而發(fā)展出來的，在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了跨越式的性能提升，同時(shí)成本也相對(duì)低廉。

編輯按

現(xiàn)在內(nèi)存的技術(shù)越來越有硬盤的影子，其實(shí)這也不奇怪，內(nèi)存的大容量和穩(wěn)定性這兩項(xiàng)性能的發(fā)展，漸漸模糊了內(nèi)存和硬盤的界限。像SGI的某個(gè)大型機(jī)就是完完全全把內(nèi)存當(dāng)硬盤來使用的。我想在未來的大數(shù)據(jù)時(shí)代，內(nèi)存和硬盤合二為一情況，也不是沒有可能。

zhaohang

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