爾必達(dá)存儲(chǔ)器于2012年2月27日申請(qǐng)適用日本的《公司更生法》。

DRAM不僅面臨著市場(chǎng)已經(jīng)飽和的現(xiàn)實(shí)，還面臨著技術(shù)瓶頸。目前的主流看法是，到比現(xiàn)在量產(chǎn)的2xnm工藝先進(jìn)2～3代的15nm工藝，DRAM的微細(xì)化將停止。只是在市場(chǎng)飽和價(jià)格止跌的現(xiàn)狀下，各DRAM廠商不希望通過(guò)推進(jìn)微細(xì)化來(lái)增加芯片供應(yīng)量。估計(jì)今后，現(xiàn)存的少數(shù)廠商將以緩慢的速度推進(jìn)微細(xì)化。并且，到微細(xì)化極限之后，采用TSV(硅通孔)的三維積層將成為DRAM增大容量和提高速度的主流技術(shù)。 后DRAM、后NAND接近實(shí)用化 在這種情況下，2012年，后DRAM存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)由原來(lái)的要素開(kāi)發(fā)階段向?qū)嵱秒A段邁進(jìn)了一大步。具有象征意義的事件是，后DRAM存儲(chǔ)器的最有力候補(bǔ) ——自旋注入磁化反轉(zhuǎn)方式磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(STT-MRAM)進(jìn)入實(shí)用階段。2012年11月，美國(guó)Everspin科技公司開(kāi)始向限定的客戶提供 64MbitSTT-MRAM的樣品，還計(jì)劃2013年面向SSD及RAID卡的緩存等進(jìn)行量產(chǎn)，爭(zhēng)取2014年使這種產(chǎn)品的容量達(dá)到GB級(jí)。 其他廠商的STT-MRAM方面，東芝公司正與SK海力士公司進(jìn)行合作開(kāi)發(fā)，力爭(zhēng)2014年針對(duì)SSD的緩存等用途進(jìn)行量產(chǎn)。東芝將在2012年12月的 “IEDM 2012”上公布STT方式MRAM相關(guān)技術(shù)。韓國(guó)三星電子公司也于2011年收購(gòu)了擁有大量STT-MRAM相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)的美國(guó)Grandis公司，穩(wěn)步推進(jìn)開(kāi)發(fā)。最快到2013年，這些知名存儲(chǔ)器廠商就能開(kāi)始供應(yīng)STT-MRAM樣品。 而NAND閃存方面，今年各廠商的大型產(chǎn)品發(fā)布很少。之前一直增長(zhǎng)的NAND閃存市場(chǎng)最近也出現(xiàn)了低迷。2012年上半年，NAND閃存陷入大幅供應(yīng)過(guò)剩，業(yè)內(nèi)第二大廠商?hào)|芝在7～9月甚至不得不減產(chǎn)30%。雖然來(lái)自智能手機(jī)及平板電腦的需求旺盛，但NAND閃存的平均配備容量小，因此各廠商并未決定加快微細(xì)化投資。 挑戰(zhàn)NAND閃存微細(xì)化極限的后NAND存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)也在穩(wěn)步進(jìn)行。2013年，東芝將開(kāi)始樣品供貨定位于后NAND存儲(chǔ)器的兩種存儲(chǔ)器——三維NAND 閃存“BiCS”和三維ReRAM(可變電阻式存儲(chǔ)器)。其中，三維ReRAM方面，東芝將在2013年2月舉行的“ISSCC 2013”上與SanDisk公司共同發(fā)表開(kāi)發(fā)技術(shù)的詳細(xì)內(nèi)容，并發(fā)布采用24nm工藝技術(shù)制造的32Gbit產(chǎn)品。32Gbit的存儲(chǔ)容量是目前在 ISSCC上發(fā)布的新款非易失性存儲(chǔ)器中最大的。跟STT-MRAM一樣，用來(lái)取代NAND的ReRAM也正由過(guò)去的要素開(kāi)發(fā)階段走向?qū)嵱秒A段。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)的上述巨大模式變化將給2013年以后各存儲(chǔ)器廠商的經(jīng)營(yíng)環(huán)境帶來(lái)巨大影響。圍繞后DRAM存儲(chǔ)器和后NAND存儲(chǔ)器的企業(yè)間協(xié)作、合作及業(yè)務(wù)合并等活動(dòng)將越來(lái)越活躍。

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