美光DDR4總線HDIMM概念圖

在概念圖中，混合型DIMM(簡稱HDIMM)控制器將與服務(wù)器中的DDR4總線相接駁，用于處理DRAM與NAND在訪問過程中由延遲所帶來的誤差。而在制造商打算將NAND閃存替換為相變內(nèi)存時，我們也可以對非易失性內(nèi)存(簡稱NVM)控制器進(jìn)行更新以適應(yīng)新的工作機制。由于板件本身同時承載了DRAM與NVM，它就能夠在保持DRAM速度優(yōu)勢的同時利用NVM的數(shù)據(jù)非易失特性。

但是這么做到底有何意義?DRAM的訪問時間通常以納秒計(即十億分之一秒)，而NAND的訪問時間則以微秒計(即百萬分之一秒)——在存儲領(lǐng)域，NAND已經(jīng)擁有相當(dāng)高的普及度，但DRAM卻始終打不開局面。換言之，為了獲得可以接受的存儲容量，我們不得不放棄內(nèi)存那令人驚嘆的傳輸速度、轉(zhuǎn)而使用速度更慢但容量更大的閃存方案。以下是全新混合型方案的適用方向：

在內(nèi)存中保存大型數(shù)據(jù)庫;

在NAND前端利用DRAM緩存替代固態(tài)硬盤;

具備閃存交換空間的DRAM模塊;

DRAM輔助下的閃存塊存儲。

美光公司的HDIMM在容量方面已經(jīng)有望突破256GB，該公司還希望微軟的Windows操作系統(tǒng)能夠?qū)ζ浞桨柑峁┢脚_支持。微軟公司已經(jīng)對這一概念表達(dá)了關(guān)注，但并沒有做出明確承諾。這種技術(shù)真能一飛沖天嗎?以目前的參數(shù)來看，其發(fā)展前景還是有一定保障的，但前提在于其它DRAM及閃存廠商對此表現(xiàn)出足夠的興趣，且能夠招徠各操作系統(tǒng)平臺的廣泛支持。

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