圖片來自驅(qū)動之家

有趣的是，早在20多年前，由于其不易揮發(fā)的特性，MRAM就被視為取代NAND閃存的潛在高性能產(chǎn)品。不過，從產(chǎn)品容量的角度來說，該技術(shù)還遠遠無法參與競爭。Everspin這次剛宣布的新品容量也僅有64Mb(8MB)。事實上，Everspin目前成熟的MRAM芯片只有4Mb，制造工藝也是過時的180nm制程。相比之下，Intel最新的CPU采用22nm制程。

MRAM的優(yōu)勢在于其性能以及低功耗。在未來，內(nèi)存技術(shù)有望超越閃存甚至是DRAM，達到SRAM的水平。只要獲得與閃存和DRAM相同的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也有望稱為未來主流內(nèi)存產(chǎn)品。

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